Pat
J-GLOBAL ID：200903094471583006

酸化物半導体素子とその製造方法、薄膜センサおよび電気光学装置

Inventor：
田中 淳

About 田中 淳

, 
梅田 賢一

About 梅田 賢一


Applicant, Patent owner：
富士フイルム株式会社

About 富士フイルム株式会社


Agent (2)： 柳田 征史 ,  佐久間 剛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007281386
Publication number (International publication number)：2009111125
Application date： Oct. 30, 2007
Publication date： May. 21, 2009
Summary：
【課題】酸化物半導体素子の製造方法において、酸化物半導体膜の低抵抗化を容易かつ低コストにする。【解決手段】 基板10上に、ゲート絶縁膜30を挟んで酸化物半導体膜40とゲート電極20を形成し、酸化物半導体膜40に、ソース電極62およびドレイン電極63とそれぞれ電気的に接続されるソース領域42およびドレイン領域43を形成する。その後、シート抵抗値が108Ω/□以上の酸化物半導体膜40に、部分的に紫外光Lを照射して、そのソース領域42およびドレイン領域43におけるシート抵抗値を106Ω/□未満にまで低減させる。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
基板上に、ゲート絶縁膜を挟んで酸化物半導体膜とゲート電極を形成し、前記酸化物半導体膜内に、ソース電極およびドレイン電極とそれぞれ電気的に接続されるソース領域およびドレイン領域を形成する酸化物半導体素子の製造方法において、 前記酸化物半導体膜のシート抵抗値が108Ω/□以上であり、 前記酸化物半導体膜に部分的に紫外光を照射して、該酸化物半導体膜内の前記ソース領域および前記ドレイン領域におけるシート抵抗値を106Ω/□未満にまで低減させることを特徴とする酸化物半導体素子の製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  G01N 27/00
FI (6)：
H01L29/78 616L ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616M ,  H01L29/78 616N ,  G01N27/00 J ,  G01N27/00 Z
F-Term (45)：
2G060AA06 ,  2G060AC02 ,  2G060AE17 ,  2G060DA17 ,  2G060DA27 ,  2G060FA05 ,  2G060HC06 ,  2G060HC18 ,  2G060HD03 ,  2G060JA06 ,  2G060KA06 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110BB09 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110GG04 ,  5F110GG06 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110HJ11 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ12
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (3)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM