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J-GLOBAL ID：200903050648063515

酸化物半導体デバイスの製造方法

Inventor：
加地 信幸

About 加地 信幸

, 
薮田 久人

About 薮田 久人


Applicant, Patent owner：
キヤノン株式会社

About キヤノン株式会社


Agent (3)： 山下 穣平 ,  志村 博 ,  永井 道雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005258268
Publication number (International publication number)：2007073699
Application date： Sep. 06, 2005
Publication date： Mar. 22, 2007
Summary：
【課題】酸化物半導体を用いたFETをはじめとする酸化物半導体デバイスの製造方法において、低コストでかつ高品質・高性能の素子を提供する。【解決手段】 酸化物半導体をチャネル層14として用いたFETの製造方法において、チャネル層14を成す酸化物半導体の所望の場所に短波長の光または高エネルギーの粒子を照射する。そして低導電率のチャネル層14に高導電率のドレイン15およびソース16を形成することにより、チャネル層14の界面状態を良好に保ったFETを製造する。あるいは、高導電率の酸化物半導体の所望の場所に光触媒を接触させ、光触媒に光を照射して酸化物半導体に低導電率の部分を形成する。その低導電率の部分をチャネル層に用いて、チャネル層の界面状態を良好に保ったFETを製造する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
酸化物半導体を用いるデバイスの製造方法であって、 基板上に前記酸化物半導体を形成する工程と、 前記酸化物半導体の所望の場所にエネルギー線を照射することにより前記酸化物半導体の導電率を変化させる工程と、を有することを特徴とする酸化物半導体デバイスの製造方法。
IPC (3)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/28
FI (3)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616K ,  H01L21/28 301B
F-Term (44)：
4M104AA03 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB06 ,  4M104BB09 ,  4M104BB36 ,  4M104BB39 ,  4M104DD37 ,  4M104EE03 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104GG08 ,  4M104GG09 ,  4M104HH20 ,  5F110AA30 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE07 ,  5F110EE09 ,  5F110EE43 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF28 ,  5F110GG01 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG24 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110HK31 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ05 ,  5F110QQ14
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 半導体デバイス
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-264885   Applicant：科学技術振興事業団
Cited by examiner (3)

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