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J-GLOBAL ID：200903075563649785

酸化物膜をチャネルに用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法

Inventor：
岩崎 達哉

About 岩崎 達哉

, 
雲見 日出也

About 雲見 日出也


Applicant, Patent owner：
キヤノン株式会社

About キヤノン株式会社


Agent (3)： 山下 穣平 ,  志村 博 ,  永井 道雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006074630
Publication number (International publication number)：2007250983
Application date： Mar. 17, 2006
Publication date： Sep. 27, 2007
Summary：
【課題】トランジスタの特性(Id-Vg特性)にばらつきが生じる場合があった。【解決手段】酸化物膜を半導体層11として有する電界効果型トランジスタであって、酸化物膜の中に、水素又は重水素が添加されたソース部位及びドレイン部位を有している。または、酸化物膜の中に、チャンネル部位18とソース部位16とドレイン部位17とを有し、ソース部位とドレイン部位との水素又は重水素の濃度がチャンネル部位の水素又は重水素の濃度よりも大きい。ソース部位とドレイン部位が、ゲート絶縁層を介して配されるゲート電極と自己整合して配され、且つ、コプレーナ構造からなる構成をとることができる。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
酸化物膜を半導体層として有する電界効果型トランジスタであって、 前記酸化物膜の中に、水素又は重水素が添加されたソース部位及びドレイン部位を有することを特徴とする電界効果型トランジスタ。
IPC (5)：
H01L 29/786 ,  H01L 29/26 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 ,  H01L 51/50
FI (6)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/26 ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 616L ,  G02F1/1368 ,  H05B33/14 A
F-Term (61)：
2H092JA23 ,  2H092JA28 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092KA05 ,  2H092KA07 ,  2H092MA27 ,  2H092MA41 ,  2H092NA21 ,  3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC31 ,  3K107CC33 ,  3K107EE03 ,  3K107GG00 ,  3K107HH05 ,  5F110AA03 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110BB20 ,  5F110CC02 ,  5F110CC08 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE07 ,  5F110FF01 ,  5F110FF05 ,  5F110FF27 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG15 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG52 ,  5F110GG54 ,  5F110GG55 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ16 ,  5F110HJ17 ,  5F110HJ18 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK07 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL07 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ14
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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