窒化ガリウム結晶、窒化ガリウム基板及び半導体レーザデバイス

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：川瀬茂樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006174864
Publication number (International publication number)：2006265101
Application date： Jun. 26, 2006
Publication date： Oct. 05, 2006
Summary：

【課題】ファセットを形成し維持しながら窒化ガリウムを成長させるファセット成長法では、ファセット面からなるピット中央部から転位がモヤモヤと広がり、面状欠陥が放射状に生成されるという欠点があった。またどこにピットができるのか制御不可能であったのでその上にデバイスを設計することができなかった。それらの難点を克服すること。【解決手段】下地基板の上に規則正しく種パターンを設けてその上にファセットよりなるピットを形成し維持しながらGaNをファセット成長させファセット面よりなるピット底部に閉鎖欠陥集合領域Hを形成しそこへ転位を集めてその周囲の単結晶低転位随伴領域Zと単結晶低転位余領域Yを低転位化する。閉鎖欠陥集合領域Hは閉じているので、転位を閉じ込め再び解き放つということがない。【選択図】図7

Claim (excerpt)：

GaN、サファイヤ、SiC、スピネル、GaAs、Siのいずかの材料からなる下地基板上に、非晶質あるいは多結晶の薄膜が配置されており、薄膜上に窒化ガリウムからなる閉鎖欠陥集合領域Hが、それ以外の領域には単結晶低転位随伴領域Zと、単結晶低転位随伴領域Zの外部に存在し同一の結晶方位を有する単結晶低転位余領域Yを有していることを特徴とする窒化ガリウム結晶。

IPC (2)：

C30B 29/38 , H01S 5/323

FI (2)：

C30B29/38 D , H01S5/323 610

F-Term (30)：

4G077AA02 , 4G077AA03 , 4G077AB06 , 4G077BE15 , 4G077DA02 , 4G077DB04 , 4G077DB05 , 4G077DB08 , 4G077ED04 , 4G077ED06 , 4G077EE06 , 4G077EE07 , 4G077EF01 , 4G077FG11 , 4G077FJ03 , 4G077HA02 , 4G077HA12 , 4G077SA04 , 4G077SA06 , 4G077TA04 , 4G077TA06 , 4G077TB02 , 4G077TB04 , 4G077TB05 , 4G077TC13 , 4G077TK01 , 4G077TK08 , 4G077TK11 , 5F173AG11 , 5F173AR82

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

特願平9-298300号
特願平10-9008号
特願平10-102546号

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