半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小池隆彌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998143610
Publication number (International publication number)：1999340224
Application date： May. 26, 1998
Publication date： Dec. 10, 1999
Summary：

【要約】【課題】亜酸化窒素雰囲気で形成した誘電体層は、高い界面準位密度を有することが指摘されている。この特性は、モビリティ低下の原因となり、トランジスタ素子のドライブ電流の低下に帰結する。【解決手段】シリコン基板1上に窒素含有の第1の誘電体層2を形成した後、酸素及び塩酸雰囲気で酸化することにより、第2の誘電体層をシリコン基板1と窒素含有の第1の誘電体層2との間に形成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に窒素含有誘電体層を形成する工程を有する半導体装置の製造方法において、上記窒素含有誘電体層を形成した後、酸素及び水素含有雰囲気で酸化することにより、所定の膜厚の第1の酸化膜を上記半導体基板と上記窒素含有誘電体層との間に形成することを特徴とする、半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/318 , H01L 29/78

FI (3)：

H01L 21/318 C , H01L 21/318 M , H01L 29/78 301 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-305966 Applicant：株式会社東芝
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-005142 Applicant：ソニー株式会社
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-080117 Applicant：株式会社東芝

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