Pat

J-GLOBAL ID：200903097915793672

半導体装置の製造方法

Inventor： 長嶺 真 ,  佐竹 秀喜 ,  高木 信一 ,  伊藤 仁
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995305966
Publication number (International publication number)：1997148543
Application date： Nov. 24, 1995
Publication date： Jun. 06, 1997
Summary：

【要約】【課題】信頼性の高いゲート酸化膜を形成すること。【解決手段】p型シリコン基板11の表面に形成した酸化シリコン膜を窒化して窒化酸化シリコン膜20を形成した後、この窒化酸化シリコン膜20を酸素ラジカルにより再酸化して、膜中のトラップサイトを少なくするとともに、ゲート酸化膜13とシリコン基板11との界面を平坦化する。

Claim (excerpt)：

シリコン層を酸化して酸化シリコン膜を形成する工程と、この酸化シリコン膜を窒化して窒化酸化シリコン膜を形成する工程と、この窒化酸化シリコン膜を酸素原子を有する分子を含むガスのプラズマに晒して改質する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 27/115 ,  H01L 21/318 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (3)：

H01L 27/10 434 ,  H01L 21/318 C ,  H01L 29/78 301 P

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-288811   Applicant：富士通株式会社
• 薄膜のパターニング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-052479   Applicant：セイコー電子工業株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-022340   Applicant：三星電子株式会社

Cited by examiner (3)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-288811   Applicant：富士通株式会社
• 薄膜のパターニング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-052479   Applicant：セイコー電子工業株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-022340   Applicant：三星電子株式会社