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J-GLOBAL ID:200903094913876423
光透過膜、高抵抗透明導電膜、光透過膜形成用スパッタリングタ-ゲット及び高抵抗透明導電膜の製造方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
小越 勇
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999005413
Publication number (International publication number):1999322413
Application date: Jan. 12, 1999
Publication date: Nov. 24, 1999
Summary:
【要約】【課題】 1×10-3〜5×10-3Ω・cmという比抵抗を有する透明導電膜の作成が可能であり、またスパッタリング時のパーティクルの発生を減少させ、スパッタリングの中断または中止の回数を減らして生産効率を上げ、かつ透過率が大きく、低反射率の光ディスク用保護膜を得る。【解決手段】 ガラス形成酸化物0.01〜20重量%含有し、残部In2O3、SnO2、ZnOから選択された1種以上の酸化物である光透過膜、さらに必要に応じて、硬質材料酸化物であるZrO2、TiO2若しくはAl2O3、Ga2O3又はガラス形成酸化物であるNb2O5、V2O5、B2O3、SiO2、P2O5の成分を添加することができる。
Claim (excerpt):
ガラス形成酸化物0.01〜20重量%を含有し、残部In2O3、SnO2、ZnOから選択された1種以上の酸化物であることを特徴とする光透過膜。
IPC (8):
C04B 35/457
, C23C 14/08
, C23C 14/34
, G02B 1/10
, G11B 7/24 534
, G11B 7/24 535
, H01B 1/08
, H01B 5/14
FI (8):
C04B 35/00 R
, C23C 14/08 D
, C23C 14/34 A
, G11B 7/24 534 K
, G11B 7/24 535 M
, H01B 1/08
, H01B 5/14 A
, G02B 1/10 Z
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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