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J-GLOBAL ID：200903094924739703

フォトマスクのパターン補正方法およびそれにより補正されたフォトマスク

Inventor：
原崎 克彦

About 原崎 克彦


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 小池 隆彌 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002379740
Publication number (International publication number)：2003186174
Application date： Mar. 17, 1998
Publication date： Jul. 03, 2003
Summary：
【要約】【課題】 フォトレジストのパターンを形成するためのフォトマスクのパターンを高精度かつ高速に補正できるフォトマスクのパターン補正方法およびそれにより補正されたフォトマスクを提供する。【解決手段】 複数のフォトマスクのパターンデータを一括して取り込み(S1)、各フォトマスクの全領域についてフォトレジスト内の光近接効果に対する補正を行い(S2)、各フォトマスクの全領域からフォトレジストの下地構造及び材質による光近接効果に対する補正を行うべき下地補正領域を自動的に抽出して(S3、S4)、下地補正領域のみにフォトレジストの下地構造及び材質に対する補正を行い(S5)、各フォトマスクの全領域からフォトレジスト現像時の端部後退及びパターン変形に対する補正を行うべき現像補正領域を自動的に抽出して(S8、S9)、現像補正領域のみにフォトレジストの現像に対する補正を行う(S10)。
Claim (excerpt)：
フォトマスク描画装置により加工されたフォトマスクを通してフォトレジストを露光装置により露光することにより設計寸法通りのフォトレジストパターンをウェハ上に形成するために用いられるフォトマスクのパターンを補正する方法であって、露光装置の露光波長、開口数、およびコヒーレントファクターと、フォトマスク描画装置の最小描画寸法とに基づいてフォトマスクのエッジからの距離が所定値以下である領域を光近接効果有効領域として決定し、該光近接効果有効領域内でパターン補正を行うことを特徴とするフォトマスクのパターン補正方法。
IPC (2)：
G03F 1/08 ,  H01L 21/027
FI (2)：
G03F 1/08 A ,  H01L 21/30 502 P
F-Term (5)：
2H095BA01 ,  2H095BB07 ,  2H095BB36 ,  2H095BC09 ,  2H095BD28
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (4)
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