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J-GLOBAL ID：200903095086806033

熱処理装置

Inventor：
清水 正裕

About 清水 正裕

, 
河西 繁

About 河西 繁

, 
米田 昌剛

About 米田 昌剛


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 浅井 章弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003332482
Publication number (International publication number)：2005101237
Application date： Sep. 24, 2003
Publication date： Apr. 14, 2005
Summary：
【課題】 高いプロセス温度での熱処理を行う際に、被処理体の高速昇温及び高速降温を行うことが可能な熱処理装置を提供する。【解決手段】 天井部に透過窓8が設けられて内部が排気可能になされた処理容器4内に設けられた載置台上に被処理体Wを載置し、前記処理容器の上方に設けた複数の加熱ランプ42A,42Bを有する加熱手段40からの熱線を前記透過窓に透過させて前記被処理体を加熱昇温することにより前記被処理体に400°C以上の高温で所定の熱処理を施すようにした熱処理装置において、前記載置台に少なくとも高速降温を可能とするための熱電変換手段24を設け、前記熱電変換手段の下面に、内部に熱媒体を流すための熱媒体ジャケット36を設ける。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
天井部に透過窓が設けられて内部が排気可能になされた処理容器内に設けられた載置台上に被処理体を載置し、前記処理容器の上方に設けた複数の加熱ランプを有する加熱手段からの熱線を前記透過窓に透過させて前記被処理体を加熱昇温することにより前記被処理体に400°C以上の高温で所定の熱処理を施すようにした熱処理装置において、 前記載置台に少なくとも高速降温を可能とするための熱電変換手段を設け、前記熱電変換手段の下面に、内部に熱媒体を流すための熱媒体ジャケットを設けるように構成したことを特徴とする熱処理装置。
IPC (4)：
H01L21/26 ,  H01L21/31 ,  H01L35/28 ,  H01L35/30
FI (4)：
H01L21/26 Q ,  H01L21/31 E ,  H01L35/28 C ,  H01L35/30
F-Term (7)：
5F045AA20 ,  5F045AF03 ,  5F045BB09 ,  5F045DP04 ,  5F045DQ10 ,  5F045EJ03 ,  5F045EK00
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (3)
  • 特開昭62-015816
  • 基板処理装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-095809   Applicant：株式会社日立国際電気
  • 一枚ウェーハ装置用のウェーハ温度制御装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-224155   Applicant：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト, 株式会社東芝, インターナショナルビジネスマシーンズコーポレーション

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