半導体発光素子とその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997068589
Publication number (International publication number)：1998270797
Application date： Mar. 21, 1997
Publication date： Oct. 09, 1998
Summary：

【要約】【課題】半導体発光素子において原子状水素の発生を抑制してドーパントの高い活性化率を実現する、半導体発光素子とその製造方法を提供する。【解決手段】化合物半導体基板上に、少なくともn型の導電型のクラッド層3と、活性層4と、p型の導電型のクラッド層5と、電極の接触するキャップ層7が積層され、かつクラッド層5内のp型導電型を形成するドーパントZnは水素が存在すると不活性化される構成であるとき、キャップ層7を、反応の過程において水素を発生させない原材料、例えばTMAs(トリメチルひ素)等の有機金属を用いて形成する。

Claim (excerpt)：

化合物半導体基板上に、少なくともn型あるいはp型いずれかの導電型のクラッド層と、活性層と、p型あるいはn型いずれかの導電型のクラッド層と、電極の接触するキャップ層が積層され、かつ前記クラッド層内のn型あるいはp型いずれかの導電型を形成するドーパントは水素が存在すると不活性化される構成である半導体発光装置の製造方法であって、前記キャップ層を、反応の過程において水素を発生させない原材料を用いて形成することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。

IPC (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平4-024977
有機金属気相成長法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-317383 Applicant：ソニー株式会社
特開平4-024977

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