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J-GLOBAL ID：200903095205866260

酸化セリウム研磨剤、半導体チップおよび半導体装置、それらの製造法、ならびに、基板の研磨法

Inventor： 松沢 純 ,  倉田 靖 ,  丹野 清仁 ,  本間 喜夫
Applicant, Patent owner： 日立化成工業株式会社
Agent (3)： 三品 岩男 ,  大関 光弘 ,  西村 雅子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003364621
Publication number (International publication number)：2004128511
Application date： Oct. 24, 2003
Publication date： Apr. 22, 2004
Summary：

【課題】グローバルな平坦化が可能で、かつ、微細な配線間の埋め込み性が良好で誘電率の低い有機SOG膜、有機高分子樹脂膜の絶縁膜を研磨する。【解決手段】次の酸化セリウム粒子を水に分散させたスラリーを含む研磨剤。(1)炭酸セリウム分散水溶液に過酸化水素を添加して得られる酸化セリウム粒子。(2)硝酸セリウム水溶液に炭酸水素アンモニウムを添加して得られた沈殿物を過酸化水素で酸化して得た酸化セリウム粒子。(3)硝酸アンモニウムセリウム水溶液を中性又はアルカリ性にして得られる酸化セリウム粒子。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

水中に酸化セリウム粒子を分散させたスラリーを含む、所定の基板上に設けられた絶縁膜を研磨する酸化セリウム研磨剤。

IPC (3)：

H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

FI (5)：

H01L21/304 622B ,  H01L21/304 622D ,  H01L21/304 622X ,  B24B37/00 H ,  C09K3/14 550D

F-Term (18)：

3C058AA07 ,  3C058CA01 ,  3C058CB02 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  4G076AA02 ,  4G076AB07 ,  4G076AB10 ,  4G076AB18 ,  4G076BA13 ,  4G076BA43 ,  4G076BE11 ,  4G076CA05 ,  4G076CA15 ,  4G076CA26 ,  4G076CA27 ,  4G076CA33 ,  4G076DA30

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

• 特開平4-055315
  
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-115457   Applicant：株式会社東芝
• 酸化物粒子及びその製造法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平7-505280   Applicant：ロデールインコーポレーテッド
• 研磨剤及び研磨方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-252402   Applicant：株式会社日立製作所
• トレンチ素子分離の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-072567   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体基板の研磨方法とこれを用いた半導体基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-005819   Applicant：三菱マテリアルシリコン株式会社, 三菱マテリアル株式会社
• 金属酸化物粉末およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-209211   Applicant：住友化学工業株式会社

Cited by examiner (1)

• 特開平4-055315