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J-GLOBAL ID：200903095237177092

成膜装置及び成膜方法

Inventor：
辰巳 徹

About 辰巳 徹

, 
神力 博

About 神力 博

, 
松本 賢治

About 松本 賢治


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社

, 
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 浅井 章弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000095504
Publication number (International publication number)：2001284336
Application date： Mar. 30, 2000
Publication date： Oct. 12, 2001
Summary：
【要約】【課題】 膜中の組成比の再現性を向上させることができる成膜装置を提供する。【解決手段】 被処理体Wを載置する載置台20を収容して真空引き可能になされた処理容器4と、成膜に用いられる複数の原料を貯留する原料タンク2A,2B,2Cと、前記原料タンク内の原料をガス状態で前記処理容器へ向けて流す原料供給路8,10,12と、前記原料の流量を制御する流量制御器14A,14B,14Cとを有する成膜装置において、前記原料供給路に介設されて前記ガス状態の原料に検査光を照射して吸収波長及び吸収量を測定する光吸収測定手段40と、この光吸収測定手段の測定結果に基づいて前記流量制御器を制御する流量制御器コントロール手段42とを備える。これにより、膜中の組成比の再現性を向上させる。
Claim (excerpt)：
被処理体を載置する載置台を収容して真空引き可能になされた処理容器と、成膜に用いられる複数の原料を貯留する原料タンクと、前記原料タンク内の原料をガス状態で前記処理容器へ向けて流す原料供給路と、前記原料の流量を制御する流量制御器とを有する成膜装置において、前記原料供給路に介設されて前記ガス状態の原料に検査光を照射して吸収波長及び吸収量を測定する光吸収測定手段と、この光吸収測定手段の測定結果に基づいて前記流量制御器を制御する流量制御器コントロール手段とを備えたことを特徴とする成膜装置。
IPC (5)：
H01L 21/31 ,  C23C 16/448 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/10 451
FI (5)：
H01L 21/31 B ,  C23C 16/448 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/316 X ,  H01L 27/10 451
F-Term (36)：
4K030AA11 ,  4K030EA01 ,  4K030HA15 ,  4K030JA05 ,  4K030KA39 ,  4K030KA41 ,  5F045AA04 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AE15 ,  5F045AE17 ,  5F045BB04 ,  5F045BB08 ,  5F045EC08 ,  5F045EE02 ,  5F045EE04 ,  5F045EE05 ,  5F045EE12 ,  5F045EF05 ,  5F045EK07 ,  5F045EK11 ,  5F045GB07 ,  5F058BA20 ,  5F058BC20 ,  5F058BF04 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BG02 ,  5F058BG10 ,  5F083FR01 ,  5F083GA30 ,  5F083JA15 ,  5F083PR21
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (11)
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