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J-GLOBAL ID：200903029670531485

薄膜の堆積装置

Inventor：
川原 孝昭

About 川原 孝昭

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山向 幹雄

About 山向 幹雄

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蒔田 哲郎

About 蒔田 哲郎

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結城 昭正

About 結城 昭正


Applicant, Patent owner：
三菱電機株式会社

About 三菱電機株式会社


Agent (1)： 高田 守 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994326972
Publication number (International publication number)：1996186103
Application date： Dec. 28, 1994
Publication date： Jul. 16, 1996
Summary：
【要約】【目的】 液体のCVD原料を使用するCVD装置に対して、成膜時に安定した組成のCVD原料蒸気を反応室へ供給することができ、高品質な薄膜を基板上に形成することができる手段を得ることを目的とする。【構成】 CVD装置には、気化したCVD原料の濃度を検出する質量分析計20が設けられ、該質量分析計20のサンプリング部が、CVD原料を気化器4から反応室15へ輸送する原料ガス輸送管10に臨んで配置されている。かくして、質量分析計20によって、反応室15に供給されるCVD原料蒸気中のBa、Sr、Ti濃度が分析され、これに基づいてCVD原料の組成が目標値と一致するよう制御され、基板上に高品質な薄膜が形成される。
Claim (excerpt)：
有機金属錯体を溶媒に溶解させてなるCVD原料を保持する原料容器と、該CVD原料を定量供給する液体供給器と、該液体供給器から供給されたCVD原料を加熱して気化させる気化器と、気化したCVD原料を用いて基板上に薄膜を形成する反応室とを有するCVD法による薄膜の堆積装置において、気化したCVD原料の濃度を検出する質量分析計が設けられ、該質量分析計のサンプリング部が気化器と反応室との間のCVD原料供給系に臨んで配置されていることを特徴とする薄膜の堆積装置。
IPC (9)：
H01L 21/31 ,  C23C 16/18 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242
FI (2)：
H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (28)
  • 蒸気形状の試薬をCVD反応器に分配させるための装置および方法
    Gazette classification：公表公報   Application number：特願平6-521092   Applicant：アドバンスド.テクノロジー.マテリアルズ.インコーポレイテッド
  • 特開平4-022126
  • 特開平4-022126
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