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J-GLOBAL ID:200903095264225686
多層配線構造又は電極取り出し構造、電気回路装置、及びこれらの製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
逢坂 宏
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001255674
Publication number (International publication number):2003069085
Application date: Aug. 27, 2001
Publication date: Mar. 07, 2003
Summary:
【要約】【課題】 Al層上にCu層を接続性よく形成することができる、多層配線構造又は電極取り出し構造、電気回路装置、及びこれらの製造方法を提供することにある。【解決手段】 アルミニウムの電極パッド56、57及び電極層77上に絶縁層79を形成する工程と、電極パッド56、57及び電極層77上において絶縁層79にビアホール70’を形成する工程と、ビアホール70’内に無電解Niメッキ層81を形成する工程と、無電解Niメッキ層81上にCu配線86を形成する工程とを有する、多層配線構造又は電極取り出し構造の製造方法。
Claim (excerpt):
アルミニウム系の第1導電層上に絶縁層を形成する工程と、前記第1導電層上において前記絶縁層に接続孔を形成する工程と、前記接続孔内にニッケル系の第2導電層を形成する工程と、前記第2導電層上に第3の導電層を形成する工程とを有する、多層配線構造又は電極取り出し構造の製造方法。
IPC (3):
H01L 33/00
, G09F 9/33
, H01L 21/768
FI (3):
H01L 33/00 N
, G09F 9/33 Z
, H01L 21/90 A
F-Term (39):
5C094AA08
, 5C094AA43
, 5C094AA48
, 5C094BA12
, 5C094BA25
, 5C094CA19
, 5C094CA24
, 5C094DA13
, 5C094DA15
, 5C094DB01
, 5C094DB02
, 5C094EA10
, 5C094FA01
, 5C094FA02
, 5C094FB12
, 5C094FB15
, 5C094GB10
, 5F033HH09
, 5F033HH11
, 5F033HH12
, 5F033JJ07
, 5F033KK08
, 5F033PP15
, 5F033PP27
, 5F033PP28
, 5F033QQ37
, 5F033QQ48
, 5F033QQ54
, 5F033XX02
, 5F033XX18
, 5F041AA42
, 5F041AA44
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA74
, 5F041CA77
, 5F041DA14
, 5F041DA20
, 5F041FF06
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
-
特開昭63-015443
-
半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-219182
Applicant:住友金属工業株式会社
-
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-290060
Applicant:日本電気株式会社
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