Pat
J-GLOBAL ID:200903095264225686

多層配線構造又は電極取り出し構造、電気回路装置、及びこれらの製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 逢坂 宏
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001255674
Publication number (International publication number):2003069085
Application date: Aug. 27, 2001
Publication date: Mar. 07, 2003
Summary:
【要約】【課題】 Al層上にCu層を接続性よく形成することができる、多層配線構造又は電極取り出し構造、電気回路装置、及びこれらの製造方法を提供することにある。【解決手段】 アルミニウムの電極パッド56、57及び電極層77上に絶縁層79を形成する工程と、電極パッド56、57及び電極層77上において絶縁層79にビアホール70’を形成する工程と、ビアホール70’内に無電解Niメッキ層81を形成する工程と、無電解Niメッキ層81上にCu配線86を形成する工程とを有する、多層配線構造又は電極取り出し構造の製造方法。
Claim (excerpt):
アルミニウム系の第1導電層上に絶縁層を形成する工程と、前記第1導電層上において前記絶縁層に接続孔を形成する工程と、前記接続孔内にニッケル系の第2導電層を形成する工程と、前記第2導電層上に第3の導電層を形成する工程とを有する、多層配線構造又は電極取り出し構造の製造方法。
IPC (3):
H01L 33/00 ,  G09F 9/33 ,  H01L 21/768
FI (3):
H01L 33/00 N ,  G09F 9/33 Z ,  H01L 21/90 A
F-Term (39):
5C094AA08 ,  5C094AA43 ,  5C094AA48 ,  5C094BA12 ,  5C094BA25 ,  5C094CA19 ,  5C094CA24 ,  5C094DA13 ,  5C094DA15 ,  5C094DB01 ,  5C094DB02 ,  5C094EA10 ,  5C094FA01 ,  5C094FA02 ,  5C094FB12 ,  5C094FB15 ,  5C094GB10 ,  5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH12 ,  5F033JJ07 ,  5F033KK08 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ54 ,  5F033XX02 ,  5F033XX18 ,  5F041AA42 ,  5F041AA44 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F041DA14 ,  5F041DA20 ,  5F041FF06
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
Show all

Return to Previous Page