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J-GLOBAL ID：200903025026347163

配線パターンの形成方法、半導体装置及びその製造方法、回路基板及びその製造方法、並びに電気光学装置及び電子機器

Inventor：
松井 邦容

About 松井 邦容


Applicant, Patent owner：
セイコーエプソン株式会社

About セイコーエプソン株式会社


Agent (1)： 上柳 雅誉 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002050470
Publication number (International publication number)：2002359245
Application date： Feb. 26, 2002
Publication date： Dec. 13, 2002
Summary：
【要約】【課題】 半導体チップの製造における配線パターンの形成工程で、全面薄膜形成工程(スパッタ)及びエッチング工程を必要とせず、ウェハの全面に亘って均一な再配線を形成することができる配線パターンの形成方法、半導体装置及びその製造方法、回路基板及びその製造方法、並びに電気光学装置及び電子機器を提供する。【解決手段】 (1)触媒を全面に設ける工程、(2)配線パターン形成領域にレジストを形成する工程、(3)触媒を不活性化もしくは除去する工程、(4)レジストを剥離し、配線パターンに無電解メッキを行う工程を含む。尚、(2)〜(4)の工程に代えて、レジストを形成せずに配線パターンが形成される領域以外の領域に形成された触媒をレーザ等を用いて除去するようにしても良い。
Claim (excerpt)：
触媒を配線パターンの形成領域で露出させて設ける第1工程と、前記触媒の露出領域に導電材料を析出させる無電解メッキを行い、前記導電材料で前記配線パターンを形成する第2工程とを含む配線パターンの形成方法において、前記第1工程は、触媒を基板の全面に設ける工程と、前記基板の全面に設けられた触媒の内、前記配線パターンの形成領域に相当する領域以外の領域に設けられた前記触媒を全て除去して、前記配線パターンの形成領域に相当する領域のみに前記触媒の露出領域を形成する工程とを含むことを特徴とする配線パターンの形成方法。
IPC (3)：
H01L 21/3205 ,  G02F 1/1345 ,  H01L 21/288
FI (3)：
G02F 1/1345 ,  H01L 21/288 Z ,  H01L 21/88 B
F-Term (37)：
2H092GA32 ,  2H092GA40 ,  2H092GA45 ,  2H092GA59 ,  2H092GA60 ,  2H092MA11 ,  2H092MA15 ,  2H092MA43 ,  2H092NA27 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD20 ,  4M104DD46 ,  4M104DD47 ,  4M104DD53 ,  4M104FF13 ,  4M104FF22 ,  5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ13 ,  5F033KK08 ,  5F033MM08 ,  5F033NN03 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ52 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR22 ,  5F033VV07
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (14)
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