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J-GLOBAL ID：200903095283089157

MOS特性を発現する極薄シリコン酸化膜の製造方法

Inventor： 北島 正弘 ,  上岡 功
Applicant, Patent owner： 科学技術庁金属材料技術研究所長
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997282413
Publication number (International publication number)：1999121448
Application date： Oct. 15, 1997
Publication date： Apr. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】 MOS特性を発現する極薄シリコン酸化膜を室温において製造する。【解決手段】 プラズマプロセスを用いた酸化膜生成方法において、シリコン基板に正・負バイアス電圧を印加し、さらにシリコン基板を室温に保持する。

Claim (excerpt)：

シリコン基板に正または負バイアス電圧を印加し、もしくは印加することなしに、シリコン基板を室温に保持して、シリコン基板表面をプラズマ酸化することを特徴とするMOS特性を発現する膜薄10nm以下の極薄シリコン酸化膜とその製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平3-260051
  
• セルフバイアス・プラズマコーティング法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-228237   Applicant：株式会社サムコインターナショナル研究所
• 光学薄膜の製造方法および製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-307724   Applicant：株式会社ニコン
• 特開平4-326730