Pat

J-GLOBAL ID：200903095407819841

階段状のプログラミング特性を有する相変化メモリセル

Inventor： トーマス ハップ ,  ヤン ボリス フィリップ
Applicant, Patent owner： キモンダ ノース アメリカ コーポレイション
Agent (1)： 特許業務法人原謙三国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007187004
Publication number (International publication number)：2008103677
Application date： Jul. 18, 2007
Publication date： May. 01, 2008
Summary：

【課題】階段状のプログラミング特性を有する相変化メモリを形成し、相変化メモリの高密度化をはかる手法を提供する。【解決手段】メモリセルは、第1の電極202、第2の電極206、および上記第1の電極202と上記第2の電極206との間にある相変化材料204を含んでいる。上記相変化材料204は、階段状のプログラム特性を有している。【選択図】図2A

Claim (excerpt)：

第1の電極と、 第2の電極と、 上記第1の電極と上記第2の電極との間にあり、かつ階段状のプログラム特性を有している相変化材料と、 を備えるメモリセル。

IPC (2)：

H01L 27/105 ,  H01L 45/00

FI (2)：

H01L27/10 448 ,  H01L45/00 Z

F-Term (10)：

5F083FZ10 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA56 ,  5F083JA60 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA21

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 自己整列したプログラム可能な相変化メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-048112   Applicant：マクロニクスインターナショナルカンパニーリミテッド
• マルチレベルメモリ素子およびこれをプログラムし読出す方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-138733   Applicant：旺宏電子股ふん有限公司
• 多値抵抗体メモリ素子とその製造及び動作方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-104919   Applicant：三星電子株式会社