多値抵抗体メモリ素子とその製造及び動作方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：八田幹雄 , 奈良泰男 , 宇谷勝幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006104919
Publication number (International publication number)：2006295168
Application date： Apr. 06, 2006
Publication date： Oct. 26, 2006
Summary：

【課題】多値抵抗体メモリ素子を提供する。【解決手段】基板と、基板上に形成されたトランジスタと、トランジスタに連結されたストレージノードとを有する抵抗体メモリ素子において、ストレージノードは、基板に連結された下部電極と、下部電極上に積層された第1相変化層と、第1相変化層上に形成された第1障壁層と、第1障壁層上に形成された第2相変化層と、第2相変化層上に形成された上部電極と、を備えることを特徴とする。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

基板と、前記基板上に形成されたトランジスタと、前記トランジスタに連結されたストレージノードとを有する抵抗体メモリ素子において、前記ストレージノードは、前記基板に連結された下部電極と、前記下部電極上に積層された第1相変化層と、前記第1相変化層上に形成された第1障壁層と、前記第1障壁層上に形成された第2相変化層と、前記第2相変化層上に形成された上部電極と、を備えることを特徴とする抵抗体メモリ素子。

IPC (2)：

H01L 27/105 , H01L 45/00

FI (2)：

H01L27/10 448 , H01L45/00 A

F-Term (7)：

5F083FZ10 , 5F083GA10 , 5F083JA36 , 5F083JA42 , 5F083MA06 , 5F083MA20 , 5F083ZA21

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

メモリ、書き込み装置、読み出し装置およびその方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-324150 Applicant：松下電器産業株式会社
記憶素子のための貯蔵セル、ならびに相変化記憶素子及びその形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-061013 Applicant：三星電子株式会社
制御可能な超電導体製構造素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-107011 Applicant：ドルニエゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング

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