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J-GLOBAL ID：200903095552093395

二層誘電体膜構造を有した半導体素子のコンデンサ及びその製造方法

Inventor：
李 起 正

About 李 起 正

, 
洪 炳 渉

About 洪 炳 渉


Applicant, Patent owner：
株式会社ハイニックスセミコンダクター

About 株式会社ハイニックスセミコンダクター


Agent (1)： 特許業務法人共生国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002379712
Publication number (International publication number)：2003318285
Application date： Dec. 27, 2002
Publication date： Nov. 07, 2003
Summary：
【要約】【課題】 本発明は二層誘電体膜構造を有した半導体素子のコンデンサ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明は半導体基板上に下部電極を形成する段階と、前記下部電極上にSi3N4薄膜とTa2O5薄膜の二層誘電体膜で構成された誘電体膜を形成する段階と、及び前記誘電体膜上に上部電極を形成する段階を含んで構成される一方、本発明の二層誘電体膜構造を有した半導体素子のコンデンサは、半導体基板上に形成された下部電極と、前記下部電極上に形成され、Si3N4薄膜とTa2O5薄膜の二層誘電体膜で構成された誘電体膜と、及び前記誘電体膜上に形成された上部電極を含んで構成されることを特徴とする。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に下部電極を形成する段階と、前記下部電極上にクロライドフリーのSi3N4薄膜とTa2O5薄膜の二層誘電体膜で構成された誘電体膜を形成する段階と、前記誘電体膜上に上部電極を形成する段階を含んで構成されることを特徴とする二層誘電体膜構造を有した半導体素子のコンデンサ製造方法。
IPC (4)：
H01L 21/8242 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H01L 27/108
FI (4)：
H01L 21/316 X ,  H01L 21/318 M ,  H01L 27/10 621 C ,  H01L 27/10 651
F-Term (17)：
5F058BA11 ,  5F058BD01 ,  5F058BF06 ,  5F058BF27 ,  5F058BJ04 ,  5F083AD24 ,  5F083AD62 ,  5F083JA03 ,  5F083JA06 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083PR16 ,  5F083PR40
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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