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J-GLOBAL ID:200903095577915578
圧電/電歪デバイス及びその製造方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
千葉 剛宏 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000297782
Publication number (International publication number):2002026411
Application date: Sep. 29, 2000
Publication date: Jan. 25, 2002
Summary:
【要約】【課題】デバイスの長寿命化及び可動部の変位の増大化と高速化(高共振周波数化)を達成させると共に、デバイスのハンドリング性並びに可動部への部品の取付性又はデバイスの固定性を向上させる。【解決手段】相対向する一対の薄板部16a及び16bと、可動部20と、これら薄板部16a及び16bと可動部20を支持する固定部22を具備し、一対の薄板部16a及び16bのうち、少なくとも1つの薄板部16a及び16bに圧電/電歪素子24a及び24bが配設され、一対の薄板部16a及び16bの両内壁と可動部20の内壁20aと固定部22の内壁22aとにより孔部12が形成された圧電/電歪デバイス10Aにおいて、一対の薄板部16a及び16bを金属製とする。
Claim (excerpt):
金属製の薄板部上に接着剤を介して積層型圧電/電歪素子が固着されたアクチュエータ部を少なくとも有し、前記積層型圧電/電歪素子は、圧電/電歪層と電極膜からなるアクチュエータ膜が少なくとも3層以上の多層体で構成されていることを特徴とする圧電/電歪デバイス。
IPC (7):
H01L 41/083
, G01P 15/09
, H01L 41/09
, H01L 41/187
, H01L 41/22
, G01C 19/56
, G01P 9/04
FI (9):
G01P 15/09
, G01C 19/56
, G01P 9/04
, H01L 41/08 N
, H01L 41/08 J
, H01L 41/18 101 B
, H01L 41/18 101 C
, H01L 41/18 101 D
, H01L 41/22 Z
F-Term (7):
2F105BB02
, 2F105BB03
, 2F105BB12
, 2F105CC01
, 2F105CD02
, 2F105CD06
, 2F105CD13
Patent cited by the Patent: