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J-GLOBAL ID:200903095582479190

限流器

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 深見 久郎 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999091679
Publication number (International publication number):2000287356
Application date: Mar. 31, 1999
Publication date: Oct. 13, 2000
Summary:
【要約】【課題】より高速で限流作用をもたらすことができ、かつ事故後の復帰が比較的速い磁場遮蔽型限流器を提供する。【解決手段】限流器10は、保護すべき系統に接続される1次巻線11と、1次巻線の内側に同心円状に配置される2次巻線12と、2次巻線12の両端の間に配置される酸化物超電導薄膜と、2次巻線および該超電導薄膜を冷却するための手段14と、鉄心13とを備える。2次巻線12は銀シース酸化物超電導線材からなり、その両端は該超電導膜を介して連結される。該超電導膜の比抵抗は、2次巻線を構成する線材の比抵抗よりも顕著に高い。1次巻線11に短絡電流が流れるとき、その磁場により該超電導膜が超電導状態から常電導状態に遷移し、これにより、2次巻線による磁場の遮蔽がすみやかに解除される。
Claim (excerpt):
保護すべき系統または線路に接続されるべき第1の巻線と、前記第1の巻線の内側に、前記第1の巻線と同心円状に配置される第2の巻線と、前記第2の巻線の両端の間に配置される超電導膜と、前記第2の巻線および前記超電導膜を冷却するための手段と、前記第2の巻線の内側と前記第1の巻線の外側との間に形成される磁気回路とを備え、前記第2の巻線は超電導線材からなり、前記第2の巻線の前記両端は、前記超電導膜を介して連結されており、前記超電導膜の比抵抗は、前記超電導線材の比抵抗よりも高く、正常時には、前記冷却手段によって冷却される前記第2の巻線および前記超電導膜が、超電導状態を維持し、それにより、前記第1の巻線による磁場の前記磁気回路への侵入が実質的に遮断され、前記線路に異常電流が流れるときには、前記超電導膜が超電導状態から常電導状態に遷移し、それにより、前記第1の巻線による磁場の前記磁気回路への侵入が促進されることを特徴とする、限流器。
IPC (3):
H02H 9/02 ZAA ,  H02H 9/02 ,  H01L 39/16 ZAA
FI (4):
H02H 9/02 ZAA B ,  H02H 9/02 ZAA A ,  H02H 9/02 ZAA F ,  H01L 39/16 ZAA
F-Term (12):
4M114AA14 ,  4M114AA29 ,  4M114BB10 ,  4M114CC03 ,  4M114CC11 ,  4M114CC15 ,  4M114CC18 ,  4M114DA47 ,  5G013AA01 ,  5G013AA04 ,  5G013BA01 ,  5G013CA02
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
  • 交流超電導機器の端子
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平8-099828   Applicant:株式会社日立製作所
  • 交流超電導機器の端子部
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平6-206935   Applicant:株式会社東芝
  • 超伝導限流器
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平3-331346   Applicant:工業技術院長
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