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J-GLOBAL ID：200903095591921033

高強度誘電体スパッタリングターゲットおよびその製造方法

Inventor：
渡辺 和男

About 渡辺 和男

, 
三島 昭史

About 三島 昭史


Applicant, Patent owner：
三菱マテリアル株式会社

About 三菱マテリアル株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996131736
Publication number (International publication number)：1997316630
Application date： May. 27, 1996
Publication date： Dec. 09, 1997
Summary：
【要約】【課題】高強度誘電体スパッタリングターゲットおよびその製造方法。【解決手段】 酸素欠陥のある一般式Ba<SB>1-x</SB> Sr<SB>x</SB> TiO<SB>3-y </SB>(0<x<1、0<y≦0.03)で表される焼結体スパッタリングターゲットにおいて、該焼結体の平均粒子径が0.3〜5μmで、最大粒子径が20μm以下で、相対密度が95%〜99%で、純度4N以上である高強度誘電体スパッタリングターゲットと必要に応じて微量不純物のうち、Kが1ppm以下、Naが2ppm以下、Alが5ppm以下、Siが20ppm以下、Feが2ppm以下である高強度誘電体スパッタリングターゲットとさらに必要に応じて焼結温度1100°C〜1300°C、焼結時間1hr〜10hr、圧力10MPa〜50MPa、真空または不活性雰囲気ガス中でホットプレスする高強度誘電体スパッタリングターゲットの製造方法。
Claim (excerpt)：
酸素欠陥のある一般式Ba<SB>1-x</SB> Sr<SB>x</SB> TiO<SB>3-y </SB>(0<x<1、0<y≦0.03)で表される焼結体スパッタリングターゲットにおいて、該焼結体の平均粒子径が0.3〜5μmで、最大粒子径が20μm以下で、相対密度が95%〜99%で、純度4N以上であることを特徴とする高強度誘電体スパッタリングターゲット。
IPC (7)：
C23C 14/34 ,  C04B 35/46 ,  C23C 14/08 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/314 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242
FI (6)：
C23C 14/34 A ,  C23C 14/08 K ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/314 A ,  C04B 35/46 D ,  H01L 27/10 651
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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