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J-GLOBAL ID：200903095767379877

水素含有雰囲気下で昇華成長させることによる炭化珪素結晶中の窒素含有量の低下

Inventor： フェチコ,ジョージ・ジョン,ジュニアー ,  ジェニー,ジェイソン・ロナルド ,  ホブグッド,ハドソン・マクドナルド ,  ツヴェトコフ,ヴァレリ・エフ ,  カーター,カーター・エイチ,ジュニアー
Applicant, Patent owner： クリー インコーポレイテッド
Agent (6)： 社本 一夫 ,  小野 新次郎 ,  小林 泰 ,  千葉 昭男 ,  富田 博行 ,  沖本 一暁
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2006521948
Publication number (International publication number)：2007500667
Application date： Jul. 26, 2004
Publication date： Jan. 18, 2007
Summary：

本発明は、炭化珪素結晶中の窒素含量を調整することに関するものであり、また詳しくは、炭化珪素の昇華成長中の窒素の混入を低下させることに関する。本発明は、グロースチャンバ中にすべて水素の雰囲気を提供することによって、成長炭化珪素結晶中の窒素濃度を制御する。水素原子は、成長結晶の表面における窒素原子の混入を実質的に遮断するか、減少させるか又は妨害する。

Claim (excerpt)：

以下の工程:すなわち、 昇華グロースチャンバ中に水素を含む雰囲気ガスを導入する工程; 該水素雰囲気グロースチャンバ中で炭化珪素原料粉末を加熱して昇華させる工程、 一方、該水素雰囲気グロースチャンバ中で、炭化珪素の種結晶を、該原料粉末の温度を下回る第二の温度まで加熱し且つその温度に維持して、該第二の温度で、該原料粉末からの昇華種を該種結晶上で凝縮させる工程、 所望の量の炭化珪素結晶成長が該種結晶上で起こるまで、該炭化珪素原料粉末を加熱し続ける工程、 一方、該グロースチャンバの該雰囲気中の水素濃度を制御することによって、該成長炭化珪素結晶中に混入する窒素の量を減少させる工程 を含む、昇華によって成長される炭化珪素結晶の窒素含有量を制御する方法。

IPC (2)：

C30B 29/36 ,  C01B 31/36

FI (2)：

C30B29/36 A ,  C01B31/36 601S

F-Term (20)：

4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077BE08 ,  4G077DA02 ,  4G077DA18 ,  4G077EA02 ,  4G077EA04 ,  4G077EA06 ,  4G077EB06 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077SA01 ,  4G077SA07 ,  4G146MA14 ,  4G146MB19A ,  4G146MB19B ,  4G146MB27 ,  4G146PA01 ,  4G146PA06

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 水素を含む雰囲気下での超高純度炭化珪素結晶の成長
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2006-521949   Applicant：クリーインコーポレイテッド
• SiC単結晶を成長圧力下に加熱して昇華成長させる方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2001-509585   Applicant：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
• 特開平3-050118
  

Cited by examiner (3)

• 水素を含む雰囲気下での超高純度炭化珪素結晶の成長
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2006-521949   Applicant：クリーインコーポレイテッド
• SiC単結晶を成長圧力下に加熱して昇華成長させる方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2001-509585   Applicant：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
• 特開平3-050118