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J-GLOBAL ID：200903065835805930
水素を含む雰囲気下での超高純度炭化珪素結晶の成長
Inventor：
,
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (6)：
社本 一夫
, 小野 新次郎
, 小林 泰
, 千葉 昭男
, 富田 博行
, 沖本 一暁
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2006521949
Publication number (International publication number)：2007500668
Application date： Jul. 26, 2004
Publication date： Jan. 18, 2007
Summary：
制御された窒素含有量を有する半絶縁性炭化珪素結晶を製造する方法を開示している。前記方法は、昇華グロースチャンバ中に水素を含む雰囲気ガスを導入する工程;水素雰囲気グロースチャンバ中で炭化珪素原料粉末を加熱して昇華させる工程、一方、該水素雰囲気グロースチャンバ中で、炭化珪素種結晶を、該原料粉末の温度を下回る第二の温度まで加熱し且つその温度に維持して、該第二の温度で、該原料粉末からの昇華種を該種結晶上で凝縮させる工程、所望の量の炭化珪素結晶成長が該種結晶上で起こるまで、該炭化珪素原料粉末を加熱し続ける工程、一方、成長炭化珪素結晶中へ混入する窒素の量を最少にするのに充分な濃度にグロースチャンバ中の水素の雰囲気濃度を維持する工程;そして、一方、得られる炭化珪素結晶を半絶縁性にする量まで該成長結晶中の点欠陥の数を増加させるのに充分に高いそれぞれの温度に、該原料粉末及び該種結晶を、昇華成長している間、維持する工程を含む。
Claim (excerpt)：
以下の工程:すなわち、
昇華グロースチャンバ中に水素を含む雰囲気ガスを導入する工程;
水素雰囲気グロースチャンバ中で炭化珪素原料粉末を加熱して昇華させる工程、
一方、該水素雰囲気グロースチャンバ中で、炭化珪素種結晶を、該原料粉末の温度を下 回る第二の温度まで加熱し且つその温度に維持して、該第二の温度で、該原料粉末からの昇華種を該種結晶上で凝縮させる工程、
所望の量の炭化珪素結晶成長が該種結晶上で起こるまで、該炭化珪素原料粉末を加熱し続ける工程、
一方、成長炭化珪素結晶中へ混入する窒素の量を最少にするのに充分な濃度にグロースチャンバ中の水素の雰囲気濃度を維持する工程;及び
該結晶を加熱して、該得られる炭化珪素結晶を半絶縁性にする量まで、該結晶中の点欠陥の数を増加させる工程
を含む、制御された窒素含有量を有する半絶縁性炭化珪素結晶を製造する方法。
IPC (2)：
FI (2)：
F-Term (13)：
4G077AA02
, 4G077AB01
, 4G077AB03
, 4G077BE08
, 4G077DA02
, 4G077DA18
, 4G077EA02
, 4G077EA04
, 4G077EA06
, 4G077EB06
, 4G077HA02
, 4G077HA06
, 4G077HA12
Cited by applicant (7)
-
特許第6218680号
-
SiC単結晶を成長圧力下に加熱して昇華成長させる方法
Gazette classification：公表公報
Application number：特願2001-509585
Applicant：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
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SiC単結晶の成長方法
Gazette classification：公表公報
Application number：特願2000-560300
Applicant：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
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Cited by examiner (7)
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