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J-GLOBAL ID：200903095785695964

スパッタ方法およびそのスパッタ装置

Inventor： 太田 淳 ,  羽賀 日出明 ,  谷 典明 ,  鄒 紅▲こう▼ ,  小松 孝 ,  中村 久三 ,  桃野 健 ,  川村 裕明 ,  鈴木 郁生 ,  池田 智 ,  石川 道夫 ,  太田 賀文 ,  松本 昌弘
Applicant, Patent owner： 日本真空技術株式会社
Agent (1)： 北村 欣一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994017653
Publication number (International publication number)：1995224379
Application date： Feb. 14, 1994
Publication date： Aug. 22, 1995
Summary：

【要約】【目的】 反応ガス雰囲気中で直流スパッタ法により導電性ターゲットにスパッタリングを行っても高速成膜が可能であり、かつ、長時間スパッタリングを行っても異常放電のないスパッタ成膜が出来るスパッタ方法。【構成】 反応ガス雰囲気中で直流スパッタ法により導電性ターゲットにスパッタリングを行って基板上に薄膜を形成するスパッタ法において、負電位の導電性ターゲットに正電位を一定の周波数でパルス状に印加しながらスパッタリングする。

Claim (excerpt)：

反応ガス雰囲気中で直流スパッタ法により導電性ターゲットにスパッタリングを行って基板上に薄膜を形成するスパッタ法において、負電位の導電性ターゲットに正電位を周波数5〜400kHzでパルス状に印加しながらスパッタリングすることを特徴とするスパッタ方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• スパッタリング装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-160151   Applicant：旭硝子株式会社
• スパツタリング装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-336097   Applicant：旭硝子株式会社