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J-GLOBAL ID：200903095821277619

高結晶性窒化アルミニウム積層基板およびその製造方法

Inventor： 福山 博之 ,  中尾 航 ,  楠 信哉 ,  高田 和哉 ,  箱守 明
Applicant, Patent owner： 財団法人理工学振興会
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004262268
Publication number (International publication number)：2005104829
Application date： Sep. 09, 2004
Publication date： Apr. 21, 2005
Summary：

【課題】 高結晶性の窒化アルミニウム(AlN)膜を最外層に有する高結晶性窒化アルミニウム積層基板およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 単結晶α-アルミナ基板上に、酸窒化アルミニウム層を介して最外層に高結晶性窒化アルミニウム膜が積層されてなり、酸窒化アルミニウム層の貫通転位密度が6.3×107/cm2以下、且つロッキングカーブの半値幅で表される結晶配向性が4320arcsec以下であることを特徴とする高結晶性窒化アルミニウム積層基板。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

単結晶α-アルミナ基板、酸窒化アルミニウム層および最外層の高結晶性窒化アルミニウム膜がこの順で積層され、そして上記酸窒化アルミニウム層が6.3×107/cm2以下の貫通転位密度および4320arcsec以下のロッキングカーブ半値幅で表される結晶配向性を有することを特徴とする高結晶性窒化アルミニウム積層基板。

IPC (3)：

C30B29/38 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00

FI (3)：

C30B29/38 C ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 C

F-Term (25)：

4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB08 ,  4G077BE13 ,  4G077CA01 ,  4G077CA08 ,  4G077ED06 ,  4G077HA02 ,  4G077JA02 ,  4G077JA03 ,  4G077JB02 ,  4G077JB07 ,  4G077JB12 ,  5F041CA40 ,  5F041CA77 ,  5F045AA20 ,  5F045AB09 ,  5F045AC00 ,  5F045AC15 ,  5F045AD18 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045CA11 ,  5F045CA12

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 米国特許第5,741,724号明細書
  
• 特開平2-141495号公報
  
• 特開平2-153897号公報
  

Cited by examiner (3)

• 特開平2-141495
  
• エピタキシャル下地基板及びエピタキシャル基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-387772   Applicant：日本碍子株式会社
• 単結晶窒化アルミニウム膜およびその形成方法、III族窒化物膜用下地基板、発光素子、並びに表面弾性波デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-068361   Applicant：財団法人理工学振興会