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J-GLOBAL ID：200903095832691999

近接場光露光マスク及びその製造方法並びに近接場光露光装置及び近接場光露光方法

Inventor： 江刺 正喜 ,  小野 崇人
Applicant, Patent owner： 江刺 正喜 ,  小野 崇人
Agent (1)： 平山 一幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998282601
Publication number (International publication number)：2000112116
Application date： Oct. 05, 1998
Publication date： Apr. 21, 2000
Summary：

【要約】【課題】 光を用いたパターン転写に関して光の回折の影響を避けるとともに近接場光をできるだけ局在させ、より微細なパターンを転写する近接場光露光マスク及びその製造方法を提供する。【解決手段】 ガラスなどのマスク基板2と、グリッドの線幅が100nm以上である金属などの導体で形成した偏光層4と、光透過性が良く光の反射を防止する例えばシリコン酸化膜で形成した結合層6と、光の波長よりも小さな最小寸法を持つ金属開口パターンを形成したマスク8とを集積化した積層構造を備える。マスク8の厚さは金属開口幅の2倍以下に形成されており、薄いほどよい。

Claim (excerpt)：

マスク基板と、偏光層と、光の波長よりも小さな開口パターンを有するマスクと、このマスクと上記偏光層とを光の反射のないように結合する結合層とを集積化した積層構造を備える、近接場光露光マスク。

IPC (4)：

G03F 1/14 ,  G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/027

FI (4)：

G03F 1/14 F ,  G03F 1/08 K ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 509

F-Term (9)：

2H095BB25 ,  2H095BC08 ,  2H095BC11 ,  2H095BC13 ,  2H095BC24 ,  5F046AA03 ,  5F046AA20 ,  5F046BA01 ,  5F046CA01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 光露光または転写方法および装置またはそのためのマスク
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-319781   Applicant：株式会社日立製作所
• 像形成方法及び該方法を用いてデバイスを製造する方法及び該方法に用いるフォトマスク
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-078162   Applicant：キヤノン株式会社