有機半導体装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：井上一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001272234
Publication number (International publication number)：2003086804
Application date： Sep. 07, 2001
Publication date： Mar. 20, 2003
Summary：

【要約】【課題】有機半導体層を用いた新規な有機半導体装置を提供する。【解決手段】本発明の有機半導体装置100は、ドレイン電極30、ゲート電極40、有機半導体層80、およびソース電極50を含む。ドレイン電極30は基板10の上に配置される。ゲート電極40はドレイン電極30の上に第1絶縁層62を介して配置される。有機半導体層80はドレイン電極30の上に配置され、かつ、ゲート電極40に対して第2絶縁層64を介して配置される。ソース電極50は有機半導体層80の上に配置される。

Claim (excerpt)：

基板の上に配置されたソース/ドレイン電極と、前記ソース/ドレイン電極の上に少なくとも第1絶縁層を介して配置されたゲート電極と、前記ソース/ドレイン電極の上に配置され、かつ、前記ゲート電極に対して少なくとも第2絶縁層を介して配置された有機半導体層と、前記有機半導体層の上に配置されたドレイン/ソース電極と、を含む、有機半導体装置。

IPC (4)：

H01L 29/786 , H01L 21/8234 , H01L 27/088 , H01L 51/00

FI (4)：

H01L 29/78 618 B , H01L 29/78 626 A , H01L 29/28 , H01L 27/08 102 E

F-Term (20)：

5F048BB02 , 5F048BD00 , 5F048BD07 , 5F048CB01 , 5F048CB07 , 5F110AA07 , 5F110AA30 , 5F110CC09 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE24 , 5F110EE33 , 5F110GG05 , 5F110GG28 , 5F110GG41 , 5F110GG42 , 5F110HK02 , 5F110HK07 , 5F110HK33

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

スイッチング素子の製造方法、スイッチング素子及びスイッチング素子アレイ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-374990 Applicant：株式会社東芝
有機薄膜トランジスタ及び液晶素子と有機発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-274401 Applicant：松下電器産業株式会社
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-112997 Applicant：三菱電機株式会社

Return to Previous Page