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J-GLOBAL ID：200903095904805323

Cu配線形成方法

Inventor：
西沢 厚

About 西沢 厚


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 渡辺 勝 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998329760
Publication number (International publication number)：2000156407
Application date： Nov. 19, 1998
Publication date： Jun. 06, 2000
Summary：
【要約】【課題】 電解メッキ法により半導体集積回路に用いられる安価で信頼性の高いCu配線を、容易に得ることのできる優れたCu配線形成方法を提供する。【解決手段】 電解メッキ法によりCu配線を形成する方法において、メッキ給電層を除去する工程の前に、該メッキ給電層上およびCu上に被覆層として絶縁膜のシリコン窒化膜(SiN)、導電膜のタングステン(W)、窒化チタン(TiN)等をCVD法またはスパッタリング法により形成する工程と、前記被覆層とメッキ給電層をエッチバック法を用いて同時に除去する工程、を含むことを特徴とするCu配線の形成方法。
Claim (excerpt)：
電解メッキ法によりCu配線を形成する方法において、メッキ給電層を除去する工程の前に、該メッキ給電層上およびCu上に被覆層を形成する工程と、前記被覆層とメッキ給電層をエッチバック法を用いて同時に除去する工程、を含むことを特徴とするCu配線形成方法。
IPC (7)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/283 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/288 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/3213
FI (7)：
H01L 21/90 B ,  H01L 21/28 F ,  H01L 21/283 N ,  H01L 21/285 301 R ,  H01L 21/288 M ,  H01L 21/302 L ,  H01L 21/88 D
F-Term (70)：
4M104BB03 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB09 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104DD08 ,  4M104DD17 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD52 ,  4M104DD66 ,  4M104EE09 ,  4M104EE18 ,  4M104FF07 ,  4M104FF13 ,  4M104FF23 ,  4M104FF27 ,  4M104GG13 ,  4M104HH20 ,  5F004AA08 ,  5F004BD05 ,  5F004DA04 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB08 ,  5F004DB23 ,  5F004EA03 ,  5F004EA12 ,  5F004EA27 ,  5F004EB01 ,  5F004EB02 ,  5F004EB03 ,  5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ21 ,  5F033KK09 ,  5F033MM01 ,  5F033MM05 ,  5F033MM08 ,  5F033MM10 ,  5F033MM13 ,  5F033MM18 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ31 ,  5F033RR06 ,  5F033RR21 ,  5F033SS08 ,  5F033SS11 ,  5F033SS21 ,  5F033TT04 ,  5F033TT08 ,  5F033XX18 ,  5F033XX25 ,  5F033XX33 ,  5F033XX34
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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