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J-GLOBAL ID：200903095917796900
カーボンナノチューブ形成用基材及びその製造方法並びにカーボンナノチューブ
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
大川 宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005199338
Publication number (International publication number)：2007015890
Application date： Jul. 07, 2005
Publication date： Jan. 25, 2007
Summary：
【課題】基板材質の選択に幅を持たせつつ、その基板上に形成される触媒金属において、触媒能を有効に発揮し、かつ、特定の結晶方位に揃った結晶構造をもつように成長制御させることを可能とする。【解決手段】単結晶基材としてのSi基板1と、拡散バリア膜としてのAg膜2と、触媒金属層としてのCo層3とを備え、Co層3上にカーボンナノチューブを成長、形成させるカーボンナノチューブ形成用基材であって、Ag膜2は、Si基板1の結晶構造を反映しつつエピタキシャル成長することにより形成された特定の結晶方位に揃った結晶構造をもつとともに、カーボンナノチューブの成長温度においてSi基板1及びCo層3の双方と2相分離状態を保つものであり、かつ、Co層3は、Ag膜2の結晶構造を反映しつつエピタキシャル成長することにより形成された特定の結晶方位に揃った結晶構造をもっている。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
単結晶基材と、該単結晶基材上に形成された拡散バリア膜と、該拡散バリア膜上に形成され、グラファイトの生成に対して触媒作用を有する触媒金属層とを備え、該触媒金属層を構成するナノ結晶粒上にカーボンナノチューブを成長、形成させるカーボンナノチューブ形成用基材であって、
前記拡散バリア膜は、前記単結晶基材の結晶構造を反映しつつエピタキシャル成長することにより形成された特定の結晶方位に揃った結晶構造をもつとともに、前記カーボンナノチューブの成長温度において前記単結晶基材及び前記触媒金属層の双方と2相分離状態を保つものであり、かつ、
前記触媒金属層は、前記拡散バリア膜の結晶構造を反映しつつエピタキシャル成長することにより形成された特定の結晶方位に揃った結晶構造をもっていることを特徴とするカーボンナノチューブ形成用基材。
IPC (2)：
FI (2)：
C01B31/02 101F
, B82B1/00
4G146AA11
, 4G146BA11
, 4G146BC23
, 4G146BC25
, 4G146BC29
, 4G146BC33B
, 4G146BC37B
, 4G146BC44
Cited by applicant (1)
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単層カーボンナノチューブの製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2002-097768
Applicant：科学技術振興事業団, 日本電気株式会社
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