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J-GLOBAL ID：200903096073226395

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 佐竹 秀喜 ,  鳥海 明
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996162238
Publication number (International publication number)：1998012609
Application date： Jun. 21, 1996
Publication date： Jan. 16, 1998
Summary：

【要約】【課題】 ゲート酸化膜の電気的な信頼性を高めることができ、素子信頼性の向上及び製造コストの低減をはかる。【解決手段】 p型シリコン基板11の表面にゲート酸化膜13を介してゲート電極14を形成し、さらにゲート電極14の両側にソース・ドレイン拡散層16を形成してnチャネルMOSトランジスタを作成するMOSトランジスタの製造方法において、ゲート酸化膜13の形成に際し、重水(D2 O)を含むガスを原料として熱酸化した。

Claim (excerpt)：

半導体基板の表面或いは半導体層の表面に、膜厚方向及び表面方向の全領域に重水素(D)原子を含む酸化膜を形成してなることを特徴とする半導体装置。

IPC (6)：

H01L 21/316 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4)：

H01L 21/316 S ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体デバイスと、同デバイスの製造方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平9-526145   Applicant：ザ・ボード・オブ・トラスティーズ・オブ・ザ・ユニバーシティ・オブ・イリノイ