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J-GLOBAL ID：200903096086583197

半導体装置の製造方法

Inventor： 渡部 厚史
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997328082
Publication number (International publication number)：1999162965
Application date： Nov. 28, 1997
Publication date： Jun. 18, 1999
Summary：

【要約】【課題】半導体装置の層間絶縁膜の平坦化方法に関する。疎水性のCVD膜上にSOGを塗布した際、上層配線形成のストレスによりCVD膜との界面でSOGが剥がれてしまうため、密着性を向上させる必要があった。【解決手段】 ステージ6上に置かれた基板1の上部に低圧水銀ランプ7を平行に並べて、大気中で254nmの波長の紫外線を照射するとオゾンが発生する。このようにCVD膜形成後、表面をオゾン処理することによりSOGとの密着性を向上させた。【効果】上層配線のストレスによりSOGが剥がれることなく多層配線の加工が可能になる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に配線パターンを形成する工程、配線パターンが形成された半導体基板上にCVD法により第1のシリコン酸化膜を形成する工程、前記第1のシリコン酸化膜表面をオゾン処理する工程、前記第1のシリコン酸化膜上にSOG(Spin On Glass)を回転塗布する工程、を有する半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/31

FI (3)：

H01L 21/316 G ,  H01L 21/316 M ,  H01L 21/31 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-140926
  
• SOG塗布装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-023460   Applicant：株式会社日立製作所
• 処理方法及びその装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-307132   Applicant：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社