電子放出素子及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (2)：田治米登 (外1名) , 田治米登 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996090337
Publication number (International publication number)：1997129123
Application date： Mar. 19, 1996
Publication date： May. 16, 1997
Summary：

【要約】【課題】電子放出素子の尖鋭な先端を有するエミッタを、異方性蒸着法ではなく反応性イオンエッチング法等により形成できるようにし、しかも単結晶Si基板以外の大面積化が容易なガラス基板を使用できるようにし、且つ基板を大面積化した場合でも基板内の複数の電子放出素子の特性の均一性を保つ。【解決手段】基板1、エミッタ配線2、絶縁層4及びゲート電極5が順次積層され、ゲート電極5と絶縁層4とにはエミッタ配線層2に達する開口部Aが設けられ、その開口部A内のエミッタ配線層2上にコーン型のエミッタ3がゲート電極5に接触しないように形成されてなる電界放射型電子放出素子において、エミッタ配線層2を金属薄膜から形成し、そしてエミッタ3を非単結晶シリコンから形成する。

Claim (excerpt)：

基板、エミッタ配線層、絶縁層及びゲート電極が順次積層され、該ゲート電極と絶縁層とには該エミッタ配線層に達する開口部が設けられ、その開口部内の該エミッタ配線層上に、コーン型のエミッタが該ゲート電極に接触しないように形成されてなる電界放射型の電子放出素子において、エミッタ配線層が金属薄膜から形成されており、且つエミッタが非単結晶シリコンから形成されていることを特徴とする電子放出素子。

IPC (3)：

H01J 1/30 , G09F 9/313 , H01J 9/02

FI (3)：

H01J 1/30 C , G09F 9/313 E , H01J 9/02 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

特開昭51-066767
特開平4-167325
特開平3-062482

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