Pat
J-GLOBAL ID:200903096177700480

UV過敏テープを用いてウェーハの裏面を研磨する半導体素子の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 三好 秀和 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996210893
Publication number (International publication number):1997148280
Application date: Aug. 09, 1996
Publication date: Jun. 06, 1997
Summary:
【要約】【課題】 従来技術の問題点を解決することができる新たなウェーハ裏面研磨工程を用いることにある。【解決手段】 半導体ウェーハ30の表面に所定の回路素子を有する複数の半導体チップを設ける段階と、前記半導体ウェーハ30の表面にUVテープ35を取付ける段階(A)と、前記ウェーハの所定の回路素子を有する表面と反対側の裏面を研磨する段階(B)と、前記ウェーハの表面に紫外線を照射しつつ、前記UV過敏テープ35を取り外す段階(C)とを含むことを特徴とする。
Claim (excerpt):
半導体ウェーハの表面に所定の回路素子を有する複数の半導体チップを設ける段階と、前記半導体ウェーハの表面にUVテープを取付ける段階と、前記半導体ウェーハの所定の回路素子を有する表面の反対側の裏面を研磨する段階と、前記半導体ウェーハの表面に紫外線を照射しつつ、前記UV過敏テープを取り外す段階とを含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。
IPC (2):
H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304
FI (2):
H01L 21/304 321 B ,  H01L 21/304 321 H
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)

Return to Previous Page