半導体装置とその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：松隈秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999010801
Publication number (International publication number)：2000208753
Application date： Jan. 19, 1999
Publication date： Jul. 28, 2000
Summary：

【要約】【課題】相互コンダクタンスGmおよびソース・ゲート間容量Cgsのゲート電圧Vgに対する線型性に優れ、しかもソース電極およびドレイン電極とチャネル層間の抵抗の低減化を図り、高効率低電圧駆動を行うことができるようにする。【解決手段】チャネル層34を有し、ゲート電極40を挟んでその両側にソース電極38とドレイン電極39とが配置された半導体装置であって、チャネル層34に対するソース電極38およびドレイン電極39からの各距離が、チャネル層34に対するゲート電極40からの距離より小に選定された構成とする。

Claim (excerpt)：

チャネル層を有し、ゲート電極を挟んでその両側にソース電極とドレイン電極とが配置された半導体装置であって、上記チャネル層に対する上記ソース電極およびドレイン電極からの各距離が、上記チャネル層に対する上記ゲート電極からの距離より小に選定されて成ることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 29/812

F-Term (10)：

5F102FA02 , 5F102FA07 , 5F102GC01 , 5F102GD05 , 5F102GJ05 , 5F102GK08 , 5F102GL08 , 5F102GM08 , 5F102GQ01 , 5F102HC01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-038898 Applicant：ソニー株式会社
電界効果型トランジスタ用ウエハ及びトランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-103222 Applicant：昭和電工株式会社
特開昭60-136381

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