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J-GLOBAL ID：200903096233178678
薄膜圧電体素子の製造方法及び薄膜圧電体素子、並びにインクジェット式記録ヘッド
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997164280
Publication number (International publication number)：1999017239
Application date： Jun. 20, 1997
Publication date： Jan. 22, 1999
Summary：
【要約】【課題】 水熱合成法により、圧電特性の優れた圧電体膜を所定領域に選択的に形成することが可能な薄膜圧電体素子の製造方法を提供する。【解決手段】 下電極が形成された基板1上の圧電体膜形成領域以外の部分に、耐アルカリ性を備えた保護膜5を形成する第1工程と、 保護膜5が形成された基板1上に、圧電体膜形成のための種結晶6を形成する第2工程と、種結晶6が形成された基板1から、保護膜5を除去する第3工程と、保護膜5を除去した後、種結晶6を結晶成長させる第4工程と、を備える。
Claim (excerpt)：
基板上に、圧電体膜と、該圧電体膜を挟んで配置される上電極と下電極と、を備えた薄膜圧電体素子の製造方法であって、前記下電極が形成された基板上の圧電体膜形成領域以外の部分に、耐アルカリ性を備えた保護膜を形成する第1工程と、前記保護膜が形成された基板上に、前記圧電体膜形成のための種結晶を形成する第2工程と、前記種結晶が形成された基板から、前記保護膜を除去する第3工程と、前記保護膜を除去した後、前記種結晶を結晶成長させる第4工程と、を備えた薄膜圧電体素子の製造方法。
IPC (6)：
H01L 41/09
, B41J 2/045
, B41J 2/055
, B41J 2/16
, C23C 28/02
, H01L 41/24
H01L 41/08 C
, C23C 28/02
, B41J 3/04 103 A
, B41J 3/04 103 H
, H01L 41/22 A
