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J-GLOBAL ID：200903096281040874

微小異物の分析方法、分析装置およびこれらを用いる半導体素子もしくは液晶表示素子の製法

Inventor： 藤野 直彦 ,  狩野 勇 ,  大森 雅司 ,  安武 正敏 ,  脇山 茂
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社 ,  セイコー電子工業株式会社
Agent (1)： 高田 守 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995025118
Publication number (International publication number)：1996220006
Application date： Feb. 14, 1995
Publication date： Aug. 30, 1996
Summary：

【要約】【目的】 パーティクル検査装置のもつ装置座標とパーティクル検査装置でないSEMなどの他の分析装置のもつ装置座標とを従来の装置座標のリンク方法を採用した装置よりはるかに高精度でリンクすることができる方法を採用することにより、微小異物の観察、分析および評価をすることができるようにする。【構成】 パーティクル検査装置において試料表面の微小異物の位置を求め、該試料を分析装置の座標ステージ上に移し、前記パーティクル検査装置で求められた微小異物の位置を分析装置に入力して、該微小異物の内容を分析する微小異物の分析方法であって、前記パーティクル検査装置で採用する装置座標と前記分析装置で採用する装置座標とを前記試料の形状に基づく同じ座標系を用いてリンクすることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

パーティクル検査装置において試料表面の微小異物の位置を求め、該試料を分析装置の座標ステージ上に移し、前記パーティクル検査装置で求められた微小異物の位置を分析装置に入力して、該微小異物の内容を分析する微小異物の分析方法であって、前記パーティクル検査装置で採用する装置座標と前記分析装置で採用する装置座標とを前記試料の形状に基づく同じ座標系を用いてリンクすることを特徴とする微小異物の分析方法。

IPC (3)：

G01N 21/88 ,  G01B 11/30 102 ,  H01L 21/66

FI (3)：

G01N 21/88 E ,  G01B 11/30 102 ,  H01L 21/66 J

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 異物検査装置およびその方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-110190   Applicant：株式会社日立製作所, 株式会社日立画像情報システム
• 液晶基板の異物検査装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-171133   Applicant：日立電子エンジニアリング株式会社
• 試料処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-309065   Applicant：株式会社日立製作所