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J-GLOBAL ID：200903096325249318

表示装置およびその作製方法

Inventor： 山崎 舜平 ,  張 宏勇
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996130911
Publication number (International publication number)：1997293879
Application date： Apr. 27, 1996
Publication date： Nov. 11, 1997
Summary：

【要約】【目的】 高精細で高い信頼性を有する表示装置およびそれを実現するための技術を提供する。【構成】 周辺駆動回路一体型の表示装置において、アクティブマトリクス回路100内に配置される画素TFTにはLDD領域を配置しない構成とする。また、周辺駆動回路101、102を構成する各種回路の内、高い耐圧と速い動作速度を要求するバッファ回路には、活性層のソース/ドレイン領域間に浮島領域およびベース領域を有する構成でなる薄膜トランジスタを配置する。

Claim (excerpt)：

アクティブマトリクス回路と周辺駆動回路とが同一基板上に集積化された構成を有し、前記周辺駆動回路には本質的に異なる構造および/または異なる動作原理を有する少なくとも2種類の薄膜トランジスタが配置されており、前記2種類の薄膜トランジスタはどちらも前記アクティブマトリクス回路に配置された薄膜トランジスタと本質的に異なる構造を有することを特徴とする表示装置。

IPC (3)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/336

FI (5)：

H01L 29/78 612 B ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/78 613 A ,  H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 627 G

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 薄膜半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-186266   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体用電極の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-354094   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体集積回路およびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-308627   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

Cited by examiner (3)

• 薄膜半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-186266   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体用電極の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-354094   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体集積回路およびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-308627   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所