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J-GLOBAL ID：200903096359440912
半導体レーザ
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993094387
Publication number (International publication number)：1994310808
Application date： Apr. 21, 1993
Publication date： Nov. 04, 1994
Summary：
【要約】【目的】 GaAsを基板とし、活性層のバンドギャップがGaAsよりも狭いストライプ型半導体レーザの新規な構造を提供する。【構成】 基板と反対側のクラッド10,11,21は、活性層のストライプ状に電流が注入される部分と平行に少なくとも一部がGaInAsPからなる凸条部21を有し、クラッドの凸条部21を有しない部分10,11の上部にAlGaInP(AlまたはGaを含まない場合を含む)を含む横光閉じ込め層32が形成されている。クラッドの凸条部を除く部分10,11の厚さは、レーザ発振光が前記横光閉じ込め層に染みだし得る厚さとなっている。
Claim (excerpt)：
GaAsを基板とし、活性層のバンドギャップがGaAsよりも狭いストライプ型半導体レーザにおいて、前記基板と反対側のクラッドは、前記活性層のストライプ状に電流が注入される部分と平行に少なくとも一部がGaInAsPからなる凸条部を有し、前記凸条部を有しない前記クラッドの上部にAlGaInP(AlまたはGaを含まない場合を含む)を含む横光閉じ込め層が形成され、前記クラッドの前記凸条部を除く部分の厚さは、レーザ発振光が前記横光閉じ込め層に染みだし得る厚さであることを特徴とする半導体レーザ。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)
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半導体レーザ
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平3-186534
Applicant：住友電気工業株式会社
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量子井戸半導体レーザ素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平3-214277
Applicant：古河電気工業株式会社
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