キャパシタを有する半導体装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：深見久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997122188
Publication number (International publication number)：1998313103
Application date： May. 13, 1997
Publication date： Nov. 24, 1998
Summary：

【要約】【課題】リーク電流が小さく、かつ比誘電率の高いキャパシタ誘電体層を含むキャパシタを有する半導体装置を提供する。【解決手段】プラグ層9を通じてMOSトランジスタ20のソース/ドレイン領域15と接するように層間絶縁層27上にストレージノード1が形成されている。このストレージノード1と対向するようにキャパシタ誘電体層を介してセルプレート5が形成されている。ストレージノード1は、Ruよりなり、Ruの(002)配向度が95%以上である。

Claim (excerpt)：

高誘電率材料を含むキャパシタ誘電体層を第1および第2の電極で挟んでなるキャパシタを有する半導体装置であって、前記第1および第2の電極の少なくともいずれかの材料のX線回折における(002)回折ピーク強度が、前記第1および第2の電極の積層方向において(101)回折ピーク強度の7倍以上である、キャパシタを有する半導体装置。

IPC (2)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (2)：

H01L 27/10 651 , H01L 27/10 621 B

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-302990 Applicant：株式会社東芝
容量素子及びその製造方法、並びに半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-245836 Applicant：富士通株式会社

Cited by examiner (1)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-302990 Applicant：株式会社東芝

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