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J-GLOBAL ID：200903096453787012

ガス分離体の製造方法

Inventor：
菱木 達也

About 菱木 達也


Applicant, Patent owner：
日本碍子株式会社

About 日本碍子株式会社


Agent (1)： 渡邉 一平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001393850
Publication number (International publication number)：2003190748
Application date： Dec. 26, 2001
Publication date： Jul. 08, 2003
Summary：
【要約】【課題】 より高いガス分離効率を発揮して、所定の純度を有する精製ガスを得ることが出来るガス分離体を作製し得る、より簡素なガス分離体の製造方法を提供すること。【解決手段】 多孔質基体にガス分離能を有する金属が成膜されてなるガス分離体の製造方法であって、少なくとも、多孔質基体の一片面を、他片面との圧力差を伴わずに、活性化金属を含有する溶液に浸漬させる活性化工程と、多孔質基体の一片面を、他片面との圧力差を伴って、ガス分離能を有する金属を含有する溶液に浸漬させる化学メッキ工程と、を有し、多孔質基体の一片面において、ガス分離能を有する金属が、多孔質基体の表面の微小欠陥を閉塞させつつ成膜されることを特徴とするガス分離体の製造方法の提供による。
Claim (excerpt)：
多孔質基体にガス分離能を有する金属が成膜されてなるガス分離体の製造方法であって、少なくとも、前記多孔質基体の一片面を、他片面との圧力差を伴わずに、活性化金属を含有する溶液に浸漬させる活性化工程と、前記多孔質基体の一片面を、他片面との圧力差を伴って、前記ガス分離能を有する金属を含有する溶液に浸漬させる化学メッキ工程と、を有し、前記多孔質基体の一片面において、前記ガス分離能を有する金属が、前記多孔質基体の微小欠陥を閉塞させつつ成膜されることを特徴とするガス分離体の製造方法。
IPC (7)：
B01D 71/02 500 ,  B01D 53/22 ,  B01D 69/10 ,  C01B 3/56 ,  C23C 18/18 ,  C23C 18/31 ,  C23C 18/42
FI (7)：
B01D 71/02 500 ,  B01D 53/22 ,  B01D 69/10 ,  C01B 3/56 Z ,  C23C 18/18 ,  C23C 18/31 A ,  C23C 18/42
F-Term (24)：
4D006GA41 ,  4D006HA21 ,  4D006MA02 ,  4D006MA06 ,  4D006MB04 ,  4D006MC02X ,  4D006MC03X ,  4D006NA05 ,  4D006NA45 ,  4D006NA49 ,  4D006PA01 ,  4D006PB18 ,  4D006PB66 ,  4G040FA06 ,  4G040FB09 ,  4G040FC01 ,  4G040FE01 ,  4K022AA37 ,  4K022AA41 ,  4K022CA04 ,  4K022CA13 ,  4K022CA16 ,  4K022DA01 ,  4K022DB30
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
  • ガス分離体及びその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-073449   Applicant：日本碍子株式会社
  • 水素分離体
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-132988   Applicant：日本碍子株式会社
  • 特開平2-271901
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