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J-GLOBAL ID：200903096465053871

集積回路装置及びその製造方法、並びに回路基板及びその製造方法

Inventor： 松尾 美恵 ,  松永 範昭 ,  早坂 伸夫 ,  奥村 勝弥
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000189937
Publication number (International publication number)：2001077315
Application date： Jun. 23, 2000
Publication date： Mar. 23, 2001
Summary：

【要約】【課題】 同一の半導体基板に能動素子と受動素子が形成された集積回路装置において、寄生容量及び寄生抵抗を十分に低減することができ、しかも十分な強度を得ることを可能にする。【解決手段】 半導体基板11の同一面側に能動素子15と受動素子14が形成された集積回路装置であって、受動素子14は、半導体基板11の素子形成面側の深さ20μm以上の溝に絶縁物13が充填された絶縁領域上に形成されている。

Claim (excerpt)：

半導体基板の同一面側に能動素子と受動素子が形成された集積回路装置であって、前記受動素子は前記半導体基板の素子形成面側の深さ20μm以上の溝に絶縁物が充填された絶縁領域上に形成されていることを特徴とする集積回路装置。

IPC (4)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01F 17/00 ,  H01F 41/04

FI (3)：

H01L 27/04 L ,  H01F 17/00 B ,  H01F 41/04 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 電源装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-196812   Applicant：富士電機株式会社
• インダクターチップ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-148222   Applicant：プレッシーセミコンダクターズリミテッド
• 高密度マルチチップモジュールおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-103036   Applicant：日本航空電子工業株式会社