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J-GLOBAL ID:200903096532082377
半導体ウエハ表面へのPb-Sn合金突起電極形成用電気メッキ液および電気メッキ方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
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Agent (1):
富田 和夫 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998205326
Publication number (International publication number):2000038694
Application date: Jul. 21, 1998
Publication date: Feb. 08, 2000
Summary:
【要約】【課題】 Pb-Sn合金突起電極を形成するためのメッキ方法を提供する。【解決手段】 電気メッキ液が、フェノールスルホン酸鉛:Pb含有割合で1〜250g/l、フェノールスルホン酸錫:Sn含有割合で0.1〜250g/l、フェノールスルホン酸:20〜300g/l、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンアルキルアミン:1〜50g/l、2-ヒドロキシ-1-ナフトアルデヒド:0.001〜1g/l、アルドールスルファニル誘導体:0.1〜30g/l、遊離フェノール:6.6〜50g/lの割合で含有する水溶液からなる電気メッキ液を使用し、ストライク電流密度を付与した後一定の低電流密度および電流供給の停止の波形の繰り返しの通電、またはメッキ開始時に1回のストライク電流密度を付与した後一定の低電流密度を電気メッキ時間の経過と共に段階的に上昇させる波形の通電を行うことにより電気メッキする。
Claim (excerpt):
フェノールスルホン酸鉛:Pb含有割合で1〜250g/l、フェノールスルホン酸錫:Sn含有割合で0.1〜250g/l、フェノールスルホン酸:20〜300g/l、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンアルキルアミン:1〜50g/l、2-ヒドロキシ-1-ナフトアルデヒド:0.001〜1g/l、アルド-ルスルファニル誘導体:0.1〜30g/l、の割合で含有し、さらに、遊離フェノール:6.6〜50g/lを含有する水溶液からなることを特徴とする半導体ウエハ表面へのPb-Sn合金突起電極形成用電気メッキ液。
IPC (4):
C25D 3/56
, C25D 7/12
, H01L 21/288
, H01L 21/60
FI (4):
C25D 3/56 Z
, C25D 7/12
, H01L 21/288 E
, H01L 21/92 604 B
F-Term (24):
4K023BA29
, 4K023CB03
, 4K023CB04
, 4K023CB05
, 4K023CB11
, 4K023CB13
, 4K023CB21
, 4K023DA07
, 4K023DA08
, 4K024AA09
, 4K024AA22
, 4K024AB02
, 4K024AB08
, 4K024BA11
, 4K024BB12
, 4K024CA04
, 4K024CA06
, 4K024CB13
, 4K024DA09
, 4K024GA02
, 4M104AA01
, 4M104BB36
, 4M104CC01
, 4M104DD52
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
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