Pat
J-GLOBAL ID:200903096559054685
光学素子の作製方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
日比谷 征彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999301709
Publication number (International publication number):2000199813
Application date: Oct. 22, 1999
Publication date: Jul. 18, 2000
Summary:
【要約】【課題】 マスク位置合わせ誤差による回折効率の低下を防止したSiO2より成るバイナリ型回折光学素子を作製する。【解決手段】 バイナリ型回折格子を刻み込んだSiO2基板11上にRFスパッタリング法により同一のSiO2の薄膜12を成膜して、基板11の表面上にマスクの位置合わせ誤差等により生ずる微細な凹凸形状を最小膜厚で被覆することによって平坦化して、回折効率の低下を防止する。
Claim (excerpt):
基板上に凹凸構造を形成した後に、前記構造の上部に前記構造の形状エラーを修復する膜を形成することを特徴とする光学素子の作製方法。
IPC (4):
G02B 5/18
, G02B 1/11
, G03F 7/20 501
, C23C 14/06
FI (4):
G02B 5/18
, G03F 7/20 501
, C23C 14/06 Z
, G02B 1/10 A
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
Show all
Return to Previous Page