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J-GLOBAL ID：200903096703326180

半導体装置、この半導体装置を含む太陽電池、及びこれらの製造方法

Inventor：
山下 征士

About 山下 征士

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アシュラフ.ムサ.モハマド.オマル

About アシュラフ.ムサ.モハマド.オマル


Applicant, Patent owner：
トヨタ自動車株式会社

About トヨタ自動車株式会社


Agent (1)： 伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008119028
Publication number (International publication number)：2009272334
Application date： Apr. 30, 2008
Publication date： Nov. 19, 2009
Summary：
【課題】製造工程数を増やさずに、アモルファスカーボンと金属電極の接触抵抗を減らすことができる半導体装置、この半導体装置を含む太陽電池、及びこれらの製造方法を提供する。【解決手段】ガラス基板11と、ガラス基板11の一方の面側に形成されたアモルファスカーボン層12と、アモルファスカーボン層12の上層部がグラファイト化されることにより形成されたグラファイト層13と、グラファイト層13の上に形成された金属電極層14と、を有する半導体装置10であって、金属電極層14は複数形成されており、グラファイト層13は、金属電極層14の各々が形成される領域の下側に形成されており、グラファイト層13は、アモルファスカーボン層12の上層部に電子ビームが照射されてグラファイト化されることにより形成される半導体装置10、この半導体装置10を含む太陽電池、及びこれらの製造方法。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
ガラス基板と、 前記ガラス基板の一方の面側に形成されるアモルファスカーボン層と、 前記アモルファスカーボン層の上層部がグラファイト化されることにより形成されるグラファイト層と、 前記グラファイト層の上に形成される金属電極層と を含む半導体装置。
IPC (2)：
H01L 31/04 ,  H01L 21/205
FI (2)：
H01L31/04 A ,  H01L21/205
F-Term (9)：
5F045AA08 ,  5F045AB07 ,  5F045AC07 ,  5F045AC19 ,  5F045CA13 ,  5F045HA19 ,  5F051AA05 ,  5F051CA15 ,  5F051CB24
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)

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