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J-GLOBAL ID：200903096769813635

CVDによる微細三次元構造体の斜め下方への成長方法とその装置

Inventor：
皆藤 孝

About 皆藤 孝


Applicant, Patent owner：
セイコーインスツルメンツ株式会社

About セイコーインスツルメンツ株式会社


Agent (1)： 坂上 正明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001118541
Publication number (International publication number)：2002317272
Application date： Apr. 17, 2001
Publication date： Oct. 31, 2002
Summary：
【要約】【課題】 本発明の課題は、試料面に原料ガスを吹きつけつつ集束イオンビームを照射するCVD法によって、下方へ反り返ったような三次元形状の超微細な立体構造体をも形成できる技術を提供することにある。【解決手段】 本発明は、ガス吹きつけ密度を従来のデポジションの場合より高くした集束イオンビーム装置を用いたデポジション技術であって、まず、基礎部分を形成するステップと、基礎となる突部が形成された時点で試料ステージを傾斜させるステップと、該基礎部に対しビームを照射すると共に順次ステージ傾斜面の上方に向かって照射領域を移動させる方法を採用した。また、ステージの駆動機構としてはxyz軸三次元方向の移動と回転及び傾斜5軸駆動のものを用い、更なる回転機構を傾斜機構の上に設けるようにして構造体とイオンビームとの位置関係の自由度を増加させた。
Claim (excerpt)：
集束イオンビーム装置を用いたデポジション技術であって、ガス吹きつけ密度を従来のデポジションの場合より高くして、基礎部分を形成するステップと、基礎となる突部が形成された時点で試料ステージを傾斜させるステップと、該基礎部に対しビームを照射すると共にステージ傾斜面の上方に向かって照射領域を順次移動させるステップを踏むことにより、基礎部から下方に延在する構造体の形成を可能にしたことを特徴とする微細立体構造体の斜め下方への成長方法。
IPC (2)：
C23C 16/48 ,  H01L 21/205
FI (2)：
C23C 16/48 ,  H01L 21/205
F-Term (8)：
4K030BB00 ,  4K030FA12 ,  4K030GA04 ,  4K030HA12 ,  4K030KA41 ,  5F045AB02 ,  5F045DA51 ,  5F045EM10
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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