半導体装置およびその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：伊東忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001094245
Publication number (International publication number)：2002261091
Application date： Mar. 28, 2001
Publication date： Sep. 13, 2002
Summary：

【要約】【課題】シリコン表面に、シリコン面方位に依存しない均一で高品質な電気的特性に優れたシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜、高誘電率酸化膜を約500°C程度以下の低温で形成する方法を提供する。【解決手段】シリコンを基体とするトランジスタないしは容量を複数個含む半導体装置の成膜方法において、前記シリコンの表面には予め少なくとも一部に水素が存在し、前記シリコン表面を第1の不活性ガスによるプラズマに嘱して前記水素を除去してから、第2の不活性ガスと一種類ないしは複数種類の気体分子の混合ガスによるプラズマを発生させて、前記シリコン気体の表面に前記気体分子を構成する元素の少なくとも一部を含むシリコン化合物層を形成する。

Claim (excerpt)：

シリコン表面に形成されたシリコン化合物層を含む半導体装置であって、前記シリコン化合物層は、少なくとも所定の不活性ガスを含み、水素含有量が面密度換算で1011/cm2以下であることを特徴とする半導体装置。

IPC (13)：

H01L 21/316 , H01L 21/318 , H01L 21/76 , H01L 27/00 301 , H01L 21/8234 , H01L 27/088 , H01L 21/8247 , H01L 27/115 , H01L 29/78 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (10)：

H01L 21/316 A , H01L 21/318 A , H01L 27/00 301 P , H01L 21/76 L , H01L 27/08 102 C , H01L 27/10 434 , H01L 29/78 301 G , H01L 29/78 371 , H01L 29/78 617 V , H01L 29/78 618 A

F-Term (99)：

5F032AA34 , 5F032AA44 , 5F032AA45 , 5F032DA04 , 5F032DA33 , 5F032DA53 , 5F048AA05 , 5F048AA07 , 5F048AB01 , 5F048AC01 , 5F048BA01 , 5F048BB11 , 5F048BB16 , 5F048BB17 , 5F048BG12 , 5F058BA11 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BC08 , 5F058BC11 , 5F058BD04 , 5F058BD10 , 5F058BE03 , 5F058BE10 , 5F058BF72 , 5F058BF73 , 5F058BF74 , 5F058BJ06 , 5F083EP02 , 5F083EP23 , 5F083EP54 , 5F083EP55 , 5F083EP56 , 5F083EP57 , 5F083GA06 , 5F083GA21 , 5F083GA29 , 5F083JA04 , 5F083PR21 , 5F083PR43 , 5F083PR53 , 5F083ZA05 , 5F083ZA07 , 5F083ZA08 , 5F101BA29 , 5F101BA36 , 5F101BB05 , 5F101BH02 , 5F101BH05 , 5F101BH21 , 5F110AA01 , 5F110AA06 , 5F110AA15 , 5F110BB01 , 5F110BB08 , 5F110BB09 , 5F110BB11 , 5F110CC02 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110EE09 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF22 , 5F110FF26 , 5F110FF30 , 5F110FF35 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F110GG17 , 5F110GG28 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110NN02 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN26 , 5F110NN65 , 5F110QQ09 , 5F140AA19 , 5F140AA24 , 5F140BA01 , 5F140BD01 , 5F140BD05 , 5F140BD07 , 5F140BD09 , 5F140BD10 , 5F140BD17 , 5F140BE01 , 5F140BE02 , 5F140BE06 , 5F140BE07 , 5F140BE08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

水素ドープ非晶質半導体膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-267331 Applicant：日本電装株式会社
太陽電池セル及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-188361 Applicant：シャープ株式会社
半導体装置とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-221874 Applicant：株式会社日立製作所

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