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J-GLOBAL ID：200903096810657483

炭化珪素単結晶ウェハの製造方法、および炭化珪素単結晶ウェハ

Inventor： 藤本 辰雄 ,  矢代 弘克 ,  勝野 正和 ,  大谷 昇
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (5)： 八田 幹雄 ,  野上 敦 ,  奈良 泰男 ,  齋藤 悦子 ,  宇谷 勝幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002297064
Publication number (International publication number)：2004131328
Application date： Oct. 10, 2002
Publication date： Apr. 30, 2004
Summary：

【課題】この発明は、表面平坦性の良好な炭化珪素単結晶ウェハ、及びその安定製造に関する方法を提供することを目的とする。【解決手段】炭化珪素単結晶より切断加工された炭化珪素単結晶材に、1300°C以上2000°C以下の温度で焼鈍熱処理を施し、しかる後に表面に研磨処理等々の機械加工を実施する。【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

炭化珪素単結晶インゴットから切り出された薄板状炭化珪素単結晶材を1300°C以上2000°C以下の温度で焼鈍熱処理したことを特徴とする炭化珪素単結晶ウェハの製造方法。

IPC (3)：

C30B29/36 ,  C30B33/02 ,  H01L21/324

FI (3)：

C30B29/36 A ,  C30B33/02 ,  H01L21/324 X

F-Term (8)：

4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077DA02 ,  4G077FE02 ,  4G077FE13 ,  4G077FG12 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 炭化珪素単結晶の製造方法及びその装置並びに炭化珪素単結晶インゴット
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-084852   Applicant：新日本製鐵株式会社
• 炭化珪素エピタキシャル基板およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-058922   Applicant：新日本製鐵株式会社
• 炭化珪素基板、炭化珪素基板の製造方法、酸化膜被覆基板、酸化膜被覆基板の製造方法および電子素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-186523   Applicant：日本碍子株式会社, 財団法人ファインセラミックスセンター