炭化珪素基板、炭化珪素基板の製造方法、酸化膜被覆基板、酸化膜被覆基板の製造方法および電子素子

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (2)：細田益稔 , 青木純雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002186523
Publication number (International publication number)：2004002126
Application date： Jun. 26, 2002
Publication date： Jan. 08, 2004
Summary：

【課題】水素ガスや塩化水素ガスを使用することなく、炭化珪素基板表面の研磨傷等の微細な凹凸を低減し、きわめて平坦度の良好な表面を形成する。【解決手段】平坦な表面8を有する炭化珪素基板7を製造する。炭化珪素からなる基材1を10-2Torr以下の雰囲気圧力下もしくは10-2Torrから7600Torrの不活性ガス雰囲気中において1200°C以上、2200°C以下の温度で加熱処理し、基材1の表面2に炭素層4を生成させる。次いで、炭素層4を除去する。好ましくは、基材を1300°C以下の温度の酸素含有雰囲気中で酸化し、炭素層4を除去し、生成した酸化膜6をエッチングによって除去する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

平坦な表面を有する炭化珪素基板を製造する方法であって、炭化珪素からなる基材を10-2Torr以下の雰囲気圧力下もしくは10-2Torrから7600Torrの不活性ガス雰囲気中において1200°C以上、2200°C以下の温度で加熱処理し、前記基材の表面に炭素層を生成させる炭素層生成工程、および前記炭素層を除去する炭素層除去工程を有することを特徴とする、炭化珪素基板の製造方法。

IPC (4)：

C04B35/565 , C04B41/80 , C04B41/91 , C30B29/36

FI (4)：

C04B35/56 101X , C04B41/80 , C04B41/91 Z , C30B29/36 A

F-Term (13)：

4G001BA22 , 4G001BB22 , 4G001BC71 , 4G001BC72 , 4G001BD38 , 4G077AA03 , 4G077BE13 , 4G077DA05 , 4G077ED06 , 4G077EE01 , 4G077EE02 , 4G077HA06 , 4G077SA04

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (9)

半導体基板およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-345159 Applicant：三菱マテリアル株式会社, 財団法人地球環境産業技術研究機構
酸素に対する炭化ケイ素表面の不活性化方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平8-530628 Applicant：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
特開昭59-219929

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Cited by examiner (9)

半導体基板およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-345159 Applicant：三菱マテリアル株式会社, 財団法人地球環境産業技術研究機構
酸素に対する炭化ケイ素表面の不活性化方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平8-530628 Applicant：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
特開昭59-219929

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