Pat
J-GLOBAL ID：200903064629900318
炭化珪素基板、炭化珪素基板の製造方法、酸化膜被覆基板、酸化膜被覆基板の製造方法および電子素子
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
,
Agent (2)：
細田 益稔
, 青木 純雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002186523
Publication number (International publication number)：2004002126
Application date： Jun. 26, 2002
Publication date： Jan. 08, 2004
Summary：
【課題】水素ガスや塩化水素ガスを使用することなく、炭化珪素基板表面の研磨傷等の微細な凹凸を低減し、きわめて平坦度の良好な表面を形成する。【解決手段】平坦な表面8を有する炭化珪素基板7を製造する。炭化珪素からなる基材1を10-2Torr以下の雰囲気圧力下もしくは10-2Torrから7600Torrの不活性ガス雰囲気中において1200°C以上、2200°C以下の温度で加熱処理し、基材1の表面2に炭素層4を生成させる。次いで、炭素層4を除去する。好ましくは、基材を1300°C以下の温度の酸素含有雰囲気中で酸化し、炭素層4を除去し、生成した酸化膜6をエッチングによって除去する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
平坦な表面を有する炭化珪素基板を製造する方法であって、
炭化珪素からなる基材を10-2Torr以下の雰囲気圧力下もしくは10-2Torrから7600Torrの不活性ガス雰囲気中において1200°C以上、2200°C以下の温度で加熱処理し、前記基材の表面に炭素層を生成させる炭素層生成工程、および
前記炭素層を除去する炭素層除去工程を有することを特徴とする、炭化珪素基板の製造方法。
IPC (4)：
C04B35/565
, C04B41/80
, C04B41/91
, C30B29/36
C04B35/56 101X
, C04B41/80
, C04B41/91 Z
, C30B29/36 A
4G001BA22
, 4G001BB22
, 4G001BC71
, 4G001BC72
, 4G001BD38
, 4G077AA03
, 4G077BE13
, 4G077DA05
, 4G077ED06
, 4G077EE01
, 4G077EE02
, 4G077HA06
, 4G077SA04
Cited by examiner (9)
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半導体基板およびその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平5-345159
Applicant：三菱マテリアル株式会社, 財団法人地球環境産業技術研究機構
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酸素に対する炭化ケイ素表面の不活性化方法
Gazette classification：公表公報
Application number：特願平8-530628
Applicant：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
-
特開昭59-219929
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