プラズマ処理装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996105213
Publication number (International publication number)：1997293704
Application date： Apr. 25, 1996
Publication date： Nov. 11, 1997
Summary：

【要約】【課題】エッチング処理するプラズマ処理装置において、誘電体1のスパッタリングや誘電体1表面へのデポジションを抑制し試料21の汚染を防止するとともに再現性のある安定してエッチング処理できるようにする。【解決手段】高周波コイル3が取付けられる真空容器2の壁部を構成するとともに内部の流路5を循環する導電性の温媒による温度制御機構と温媒を真空容器2と同じ接地電位にする電磁シールド機構とをもつ誘電体1を設け、誘電体1の温度を適宜の温度に一定に制御するとともに高周波コイル3と真空容器内のプラズマとの容量結合を減少させている。

Claim (excerpt)：

上部に誘電体を有し他の部分が電気的に接地される真空反応容器と、この真空反応容器外にあって前記誘電体の上面に近接して配置される高周波コイルと、第1のチューニング機構を介して前記高周波コイルに高周波電流を流す第1の高周波電源と、前記真空反応容器に複数のプロセスガスを導入する手段と、前記真空反応容器の下部に位置し被処理部材が載置される下部電極と、この下部電極に第2のチューニング機構を介して高周波電圧を印加する第2の高周波電源とを備えるプラズマ処理装置において、前記誘電体内部に複数の流路を有し該流路に温媒を循環させる温媒循環装置と、前記温媒または前記流路を電気的に接地する接地手段と、前記温媒および前記誘電体の温度を制御する温調機構とを備えることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (2)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00

FI (2)：

H01L 21/302 B , C23F 4/00 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-128791 Applicant：株式会社日立製作所
プラズマ処理装置及びそのクリーニング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-179512 Applicant：東京エレクトロン株式会社
特開平4-096224

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